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可取代SRAM的非揮發(fā)性內(nèi)存，為工業(yè)控制及辦公自動化提供不需電池的最佳解決方案 富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，推出全新具有SRAM兼容型并列接口的4 Mbit FRAM芯片---MB85R4M2T。MB85R4M2T采用44-pinTSOP封裝并且與標(biāo)準(zhǔn)低功耗SRAM兼容，因此能夠應(yīng)用在工業(yè)控制、辦公自動化設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備以及其他設(shè)備中，取代原有具備高速數(shù)據(jù)寫入功能的SRAM。此產(chǎn)品從2014年1月起開始為客戶提供樣品。 
圖1. MB85R4M2T FRAM具備非揮發(fā)性數(shù)據(jù)儲存功能，即使在電源中斷的狀況下仍能保護數(shù)據(jù)，隨機存取功能則能高速寫入數(shù)據(jù)。如果在寫入數(shù)據(jù)時遭遇電源臨時中斷或是停電，F(xiàn)RAM仍能夠安全地儲存數(shù)據(jù)，因此即使在電源中斷時FRAM還是能夠立即儲存參數(shù)信息并實時記錄設(shè)備上的數(shù)據(jù)。 另外，MB85R4M2T無須任何電池即可持續(xù)地儲存數(shù)據(jù)，因此有助于發(fā)展更小型、更省電的硬件設(shè)備，且能降低總成本。其優(yōu)勢包括： 1. 減少電路板面積 MB85R4M2T不需要通過電池儲存數(shù)據(jù)，因此能減少50%以上產(chǎn)品中所使用PCB板的內(nèi)存與相關(guān)零件的電路板面積。 2. 降低功耗 在主電源關(guān)閉的情況下，SRAM將數(shù)據(jù)保存在內(nèi)存，其需要消耗約15 µW/秒的電流以保存資料。由于FRAM為非揮發(fā)性內(nèi)存，在電力關(guān)閉情況下不會耗費任何電力。 3. 降低總成本 移除電池不僅降低零件成本，也免除了所有電池更換或維修相關(guān)的周期性成本，能大幅減低開發(fā)及營運的總成本。 富士通半導(dǎo)體將持續(xù)為客戶提供內(nèi)存產(chǎn)品及解決方案并協(xié)助客戶提高產(chǎn)品能效，也期望能有效降低終端產(chǎn)品的總成本。 欲獲得更多信息，請瀏覽以下網(wǎng)站：http://www.fujitsu.com/cn/fss/memory/fram/
圖2. 電路板面積比較
圖3. 保存資料時所需功耗
圖4. 總成本比較 客戶聯(lián)系 富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司 蔡振宇 市場部 電話：86 21-6146 3688，Eric.Cai@cn.fujitsu.com |
