東芝擴充碳化硅肖特基勢壘二極管系列，新增10A產品

發布時間：2013-9-24 10:11 發布者：eechina

東芝公司（Toshiba Corporation）將擴充其650V碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）系列，為其現有的6A、8A和12A產品陣容中增添一款10A產品。該產品將于即日起批量交付。

SBD適用于多種應用，包括光伏發電系統的功率調節器。它們還可替代開關電源中的硅二極管，可省電50%（東芝數據）。

即便以大電壓與大電流工作，SiC電源設備都會比現有的硅設備工作起來更穩定，因為它們可大幅減少工作期間的熱損耗。它們可滿足業界對尺寸更小、效率更高的通信設備的多元化需求，其工業應用從服務器到反相器，一應俱全。


新產品
產品型號                            電氣規格          封裝
      VRRM       IF       VF （V）          IRRM （μA）
      （V）       （A）       標準值/最大值       標準值/最大值
TRS10E65C          650          10          1.5 / 1.7          0.42 / 90          TO-220 （2引腳）

當前產品陣容
產品型號                            電氣規格          封裝
      VRRM       IF       VF （V）          IRRM （μA）
      （V）       （A）       標準值/最大值       標準值/最大值
TRS6E65C       650       6       1.5 / 1.7       0.3 / 90       TO-220 （2引腳）
TRS8E65C       650       8       1.5 / 1.7       0.4 / 90
TRS12E65C          650          12          1.54 / 1.7          0.45 / 90

通過以下鏈接了解該產品更多信息：
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/diode/sic/index.html

客戶問詢：
電源設備銷售與營銷部
電話：+81-3-3457-3416

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