Vishay推出PowerPAK封裝的新款-40V和-30V MOSFET，擴充Gen III P溝道產品

發布時間：2013-7-15 10:20 發布者：eechina

首款40V P溝道Gen III器件，首款PowerPAK 1212-8S封裝的30V MOSFET

Vishay推出采用PowerPAK 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴充其TrenchFET Gen III P溝道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiS443DN在-10V和-4.5V柵極驅動下具有業內較低的導通電阻，是首款-40V P溝道Gen III器件；SiSS27DN是首款采用PowerPAK 1212-8S封裝的-30V MOSFET。

SiS443DN和SiSS27DN適用于24V、19V和12V負載開關，以及移動計算、智能手機和平板電腦中電源管理等各種應用的適配器和電池開關。這些器件的低導通電阻在業內領先，使設計者能夠在電路里實現更低的壓降，更有效地使用能源，并延長電池使用時間。

在需要更高電壓的應用里，3.3mm x 3.3mm PowerPAK 1212-8封裝的-40V SiS443DN提供11.7mΩ(-10V)和16mΩ(-4.5V)的最高導通電阻。在導通電阻非常重要的場合，SiSS27DN提供了極低的5.6mΩ(-10V)和9mΩ (-4.5V)導通電阻，采用高度0.75mm的PowerPAK 1212-8S封裝。

SiS443DN和SiSS27DN進行了100%的Rg和UIS測試。MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規定，符合RoHS指令2011/65/EU。

器件規格表：

型號		SiSS27DN	SiS443DN
VDS (V)		-30	-40
VGS (V)		20	20
RDS(ON) (mΩ) @	10 V	5.6	11.7
	6 V	7	-
	4.5 V	9	16
	封裝	PowerPAK 1212-8S	PowerPAK 1212-8

新款P溝道MOSFET現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十四周到十六周。

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