實現最高級別低導通電阻性能和高速轉換 東芝公司宣布為專用于基站和服務器的通用DC-DC轉換器推出30V電壓功率MOSFET系列。這些產品采用了最新的第八代低壓溝槽結構,實現了最高級別的[注1]低導通電阻和高速轉換。該系列產品計劃于6月底投入量產。 特性 1. 采用了第八代低壓溝槽結構,實現了最高級別的[注1]低導通電阻 2. 實現了較低的內部門極電阻和較低的門極電容比(Cgd/Cgs),有助于預防自啟動現象
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