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新款100V N溝道TrenchFET功率MOSFET采用ThunderFET技術(shù)，在1.6mm x 1.6mm和2mm x 2mm占位面積內(nèi)實現(xiàn)83mΩ的低導通電阻 Vishay推出新款100V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET應用到更小的封裝尺寸上。SiB456DK和SiA416DJ是業(yè)內(nèi)首次采用這種小尺寸、熱增強型PowerPAK SC-75 1.6mm x 1.6mm和PowerPAK SC-70 2mm x 2mm占位面積的100V N溝道器件，導通電阻分別小于200mΩ和100mΩ。 今天推出的MOSFET適用于升壓轉(zhuǎn)換器、低功率DC/AC逆變器，以及電信磚式電源、負載點應用和便攜式設(shè)備中的LED照明等小型DC/DC轉(zhuǎn)換器的初級側(cè)開關(guān)。對于設(shè)計者來說，器件的超小PowerPAK SC-75和PowerPAK SC-70封裝可在這些應用中節(jié)省PCB空間，其低導通電阻可實現(xiàn)更低的導通電阻，從而降低能源消耗，提高效率。另外，MOSFET可在4.5V下導通，簡化了柵極驅(qū)動。 
在導通電阻比尺寸更重要的應用中，2mm x 2mm的SiA416DJ在10V、4.5V下的最大導通電阻為83mΩ和130mΩ，導通電阻與柵極電荷乘積在10V和4.5V下分別為540mΩ-nC和455mΩ-nC，該參數(shù)是DC/DC轉(zhuǎn)換器應用中評價MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM)。對于尺寸大小更重要的應用，1.6mm x 1.6mm的SiB456DK在10V、4.5V下的最大導通電阻為185mΩ和310 mΩ，在10V、4.5V下的FOM為611mΩ-nC和558mΩ-nC。 SiB456DK和SiA416DJ進行了100%的Rg和UIS測試。這些MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2011/65/EU。 新款MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。 |
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