采用一個4納米厚的鋁酸鑭(lanthanum aluminate)層作為超薄介質，以及0.5納米厚的氧化鋁層，美國普杜大學(Purdue University)的銦砷化鎵(IGA)納米晶體管終于達到了一個重要的20納米門限(gate size)的里程碑。當前英特爾公司為其Ivy Bridge硅基晶體管使用的是22納米的制程。
一系列的"4-D"晶體管[圖像來源：普杜大學] 普杜大學電氣和計算機工程系的Peide "Peter" Ye教授，為他的新裝置取了一個有趣的名字——"4D晶體管"。
目前的硅芯片制造業處于不確定的狀態。預計芯片會在2015達到14nm，研究人員希望到2018年的時候能收縮到10nm。但在14nm之前，繼續使用當前的"高K"(high-k)介質將導致嚴重的泄露電流，因此停留在常規的道路上的課程研究者們必須展開發現新電介質的競賽。 制程要越過10nm將更加棘手，因為它已經把光刻技術推到了很勉強的邊界。像自組裝(self-assembly)或機械操縱原子(mechanical manipulation)這樣的先進技術或許能證實10nm以下的關鍵功能尺寸。 這項新工作發表在舊金山國際電子設備(International Electron Device Meeting)會議上提交的論文[PDF]中。 [來源：Purdue , Eurekalert] [編譯自：dailytech] |
