英飛凌推出兩款全新功率模塊平臺(tái)，用以提升 1200V 至 6.5 kV 電壓級(jí)別的高壓 IGBT的性能。為使新模塊的優(yōu)點(diǎn)得到更廣泛應(yīng)用，英飛凌將向所有 IGBT 功率模塊生產(chǎn)商提供免授權(quán)費(fèi)許可。使用該平臺(tái)概 ...
整個(gè)解決方案的占板面積僅為 0.5cm2
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 5A、20VIN 降壓型微型模塊 (µModule) 穩(wěn)壓器 LTM4625，該器件采用 6.25mm x 6.25mm x 5.01mm B ...
為單段式方案擴(kuò)增了高功率因數(shù)能力，將雙段式方案的功率能力拓寬至最高150W
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出兩個(gè)新系列的功率因數(shù)校正(PFC)離線AC-DC驅(qū)動(dòng)器，用于高性能LED照明應(yīng)用。NCL ...
新款碳化硅 (SiC) 二極管提高涌流-標(biāo)稱電流比，是應(yīng)對(duì)逆變器小型化挑戰(zhàn)的理想選擇
意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST）推出新款汽車質(zhì)量級(jí)碳化硅 (SiC) 二極管，以滿足電動(dòng)汽車和插電 ...
為DC-DC應(yīng)用提供高密度緊湊型解決方案
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出采用高性能4×5 PQFN 功率模塊封裝的IRFH4257D FastIRFET 雙功率MOSFET。這項(xiàng)新的封裝拓展了IR ...
現(xiàn)可提供 -55ºC 至 +125ºC 軍用 MP 級(jí)版本
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LT3014B 的軍用 MP 級(jí)版本，該高電壓、微功率、低壓差穩(wěn)壓器能夠提供 20mA 輸出電 ...
新的電源管理芯片AS3722及功率級(jí)模塊AS3728在Nvidia‘Jetson’參考設(shè)計(jì)中為Tegra K1移動(dòng)處理器片上系統(tǒng)提供電源管理
奧地利微電子公司推出AS3722以豐富其電源管理IC（PMICs）產(chǎn)品系列。AS372 ...
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出低壓差線性穩(wěn)壓器AP2303，可產(chǎn)生DDR 2丶3丶3L及4 SDRAM內(nèi)存系統(tǒng)所需的總線終端電壓。新器件適用于下一代機(jī)頂盒丶主板和顯卡等產(chǎn)品，能夠連續(xù)抽出及灌入高 ...
具備 3µA IQ 和高達(dá) +150ºC 的 H 級(jí)溫度范圍
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LT3007 的更寬溫度范圍 H 級(jí)新版本，該器件是高壓、微功率、基于堅(jiān)固 PNP 的 LDO ...
新器件采用標(biāo)準(zhǔn)的6mm x 6mm PowerPAK MLP66-40L、新型5mm x 5mm PowerPAK MLP55-31L和4.5mm x 3.5mm PowerPAK MLP4535-22L封裝
Vishay推出采用3種PowerPAK封裝尺寸的新系列VRPower集成式DrMO ...
意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST）推出全新M系列1200V IGBT，以先進(jìn)的溝柵式場(chǎng)截止技術(shù) (trench-gate field-stop) 為特色，有效提升太陽能逆變器 (solar inverters)、電焊機(jī) (welding e ...
在 2MHz 提供 95% 效率和超低的 EMI / EMC 輻射
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 5A、42V 輸入同步降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器 LT8640。該器件采用獨(dú)特的 Silent Switcher 架構(gòu)，整 ...
