意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出全新M系列1200V IGBT，以先進的溝柵式場截止技術 (trench-gate field-stop) 為特色，有效提升太陽能逆變器 (solar inverters)、電焊機 (welding equipment)、不間斷電源 (uninterruptible power supplies) 與工業電機驅動器等多項目標應用的能效和可靠性。
高度優化的導通性和關斷性以及低導通損耗 (low turn-on loss)，讓全新的改進型IGBT 特別適用于執行工作頻率高達20kHz的硬開關電路 (hard-switching circuit)；最高工作溫度提高至175°C，寬安全工作范圍 (SOA, safe operating area) 無閉鎖效應 (latch-up free)，150°C 時的短路耐受時間 (short-circuit withstand time) 為10µs，這些特性確保新產品在惡劣的外部電氣環境中具有更高的可靠性。 新產品所用的第三代技術包括新的先進的溝柵結構設計和優化的高壓IGBT架構，可以最大限度地降低電壓過沖 (voltage overshoot)，消除關斷期間出現的振蕩現象 (oscillation)，有效降低電能損耗，簡化電路設計。與此同時，低飽和電壓 (Vce (sat)) 可確保新產品具有很高的導通能效。正溫度系數和窄飽和電壓范圍可簡化新產品并聯設計，有助于提高功率處理能力。 新產品還受益于提升的導通能效。此外，新產品與IGBT反向并聯 (anti-parallel) 的新一代二極管一同封裝，具有快速的恢復時間和增強的恢復軟度特性，且導通損耗沒有明顯上升，進而實現更出色的EMI性能表現。 40A STGW40M120DF3、25A STGW25M120DF3和15A STGW15M120DF3三款產品采用標準的TO-247封裝，STGWA40M120DF3、STGWA25M120DF3和STGWA15M120DF3三款產品采用TO-247長引腳封裝，目前均已開始量產。 欲了解更多詳情，請瀏覽：www.st.com/igbt |
