IR 推出采用4×5 PQFN功率模塊封裝的25V IRFH4257D FastIRFET雙功率MOSFET

發布時間：2014-12-17 09:58 發布者：eechina

為DC-DC應用提供高密度緊湊型解決方案

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用高性能4×5 PQFN 功率模塊封裝的IRFH4257D FastIRFET 雙功率MOSFET。這項新的封裝拓展了IR的功率模塊系列的功能，使其可用于更低功率的緊湊型設計，適合12V輸入DC-DC同步降壓應用，包括先進的電信和網絡通信設備、服務器、顯示適配器、臺式電腦、超極本 (Ultrabook) 及筆記本電腦等應用。

IRFH4257D采用IR的新一代硅技術和封裝專利技術，以緊湊的4×5功率模塊提供卓越的熱性能、低導通電阻 (RDS(on)) 和柵極電荷 (Qg) ，帶來一流的功率密度和更低的開關損耗。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“與IR的其它FastIRFET器件一樣，IRFH4257D可與各種控制器或驅動器共同操作，為單相位或多相位應用提供靈活的設計，同時實現更高的電流、效率和頻率。隨著 IRFH4257D加入IR的功率模塊系列，設計師可選擇能滿足其設計要求的 4×5或5×6 PQFN封裝�！�

IRFH4257D符合工業級標準和第一級濕度敏感度 (MSL1) 標準，所采用的物料清單環保、不含鉛，并符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。

規格

器件	PQFN	電流	4.5V下的典型/	4.5V下的典型QG (nC)	4.5V下的典型QGD (nC)
	封裝尺寸	額定值	最大導通電阻
IRFH4257D	4x5	25A	3.7 / 4.6	10	3.4
			1.65 / 2.1	23	7.6

產品現正接受批量訂單。相關數據請瀏覽IR網站www.irf.com。

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