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英飛凌推出兩款全新功率模塊平臺，用以提升 1200V 至 6.5 kV 電壓級別的高壓 IGBT的性能。為使新模塊的優(yōu)點得到更廣泛應用，英飛凌將向所有 IGBT 功率模塊生產(chǎn)商提供免授權費許可。使用該平臺概念的首批產(chǎn)品將包括3.3kV (450A)、4.5kV (400A) 和6.5kV (275 A)等電壓等級，并采用全新的100mm X 140mm X 40mm 封裝設計尺寸。新模塊將于 2015 年 5 月 19 日 至 21 日在德國紐倫堡舉辦的PCIM展期間亮相，同時低電壓等級的封裝正在開發(fā)中。 高性能可靠的IGBT模塊是工業(yè)和牽引驅動、風能和光伏、長距離輸電等應用的關鍵技術。歷經(jīng) 30 年開發(fā)，芯片技術已發(fā)展到能讓IGBT滿足越來越高的能效和工作溫度要求，而且逐漸小型化，可靠性不斷提高，成本降低，而僅基于對標準封裝技術的有限改進。但面對越來越苛刻和惡劣的應用環(huán)境，這種方法已到達極限，使得高功率模塊封裝技術的改進成為性能持續(xù)改善的關鍵因素。 英飛凌開發(fā)的新模塊平臺符合當前的高功率密度、高能效、長生命周期和高堅固性等新系統(tǒng)要求。此靈活概念允許將相同部件并聯(lián)，因此使得直流母線端子和電容器的結構更為簡化。交流端子可只通過一個匯流排直接并聯(lián)。這一新型模塊的靈活性和可擴展性極大地簡化了系統(tǒng)設計，能夠讓開發(fā)人員縮短產(chǎn)品從設計到投放市場的所需時間。全新高功率模塊采用最新的封裝技術，有助于減少系統(tǒng)總成本和確保設計的未來適用性。 英飛凌科技股份有限公司工業(yè)功率控制部高功率產(chǎn)品總監(jiān)Markus Hermwille表示：“考慮到IGBT技術正面臨著越來越多的挑戰(zhàn)，我們非常高興能夠推出一種滿足當前和可預見未來的工業(yè)需求封裝技術。我們十分肯定的是，這種全新模塊封裝將為所有要求苛刻的高功率應用帶來極大益處。我們的目標是通過供應全新高功率平臺來構建廣泛和可靠的基礎，這就是我們邀請業(yè)界采用這種設計的原因。” 供貨 采用此全新封裝設計的第一批產(chǎn)品為3.3kV模塊，將于2015年5月開始供應樣品；2016年下半年開始量產(chǎn)。更多關于此全新高功率平臺的信息，請訪問 www.infineon.com/theanswer 。 |
