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安捷倫科技公司推出先進(jìn)設(shè)計(jì)系統(tǒng)（ADS）射頻和微波 EDA 平臺的全新主要版本 ADS 2012。 ADS 2012 具備新的功能，提升了所支持應(yīng)用的設(shè)計(jì)效率，并為 GaAs、GaN 和硅基材料射頻功率放大器多芯片模塊設(shè)計(jì)提供突破性技術(shù)。 提升設(shè)計(jì)效率 ADS 2012提供多個用戶界面增強(qiáng)特性，旨在改善工程師的設(shè)計(jì)效率。可駐留窗口支持用戶快速訪問常用的對話框，例如元器件信息和版圖層可視化窗口。新增的元器件搜索和網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)瀏覽功能可讓用戶輕松地完成大型設(shè)計(jì)。新的工程歸檔/解檔實(shí)用程序可使設(shè)計(jì)和工程項(xiàng)目共享變得更簡單。 更新了兩個重要的ADS射頻設(shè)計(jì)指南。ADS負(fù)載牽引設(shè)計(jì)指南現(xiàn)在包括失配仿真，給出器件或放大器對負(fù)載電壓駐波比或相位角的靈敏度。放大器設(shè)計(jì)指南增添了多項(xiàng)更新，可輕松查看在指定輸出功率或增益壓縮上的放大器性能。 突破性進(jìn)展 ADS 2012在射頻功率放大器設(shè)計(jì)上的其它突破性進(jìn)展包括： • 通過與EMPro整合，可將三維電磁場元器件另存為可以在ADS中直接使用的數(shù)據(jù)庫單元。 • 全新的集成在ADS設(shè)計(jì)環(huán)境中的電熱仿真器以全三維熱求解為基礎(chǔ)，結(jié)合了動態(tài)溫度效應(yīng)，提高了“熱感知”電路仿真結(jié)果的精度。 • 多芯片模塊的電磁場仿真設(shè)置及不同技術(shù)的有限元方法仿真，可以分析典型的多芯片功率放大器模塊中的芯片和互連線、鍵合線以及倒裝芯片焊球之間的電磁場耦合效應(yīng)。 • 提供對新型神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò) NeuroFET 模型的支持（通過Agilent IC-CAP器件建模軟件提取），獲得更精確的場效應(yīng)管建模和仿真結(jié)果（例如大功率GaN FET放大器）。 ADS 2012 網(wǎng)絡(luò)研討會 為了更完善地推出ADS 2012軟件，安捷倫還提供一系列網(wǎng)絡(luò)研討會，用以演示軟件的最新技術(shù)和應(yīng)用。網(wǎng)絡(luò)研討會包括： • 集成的電熱解決方案提供熱感知電路仿真 —— 現(xiàn)場直播 10 月 4 日 • 射頻功率放大器設(shè)計(jì)系列：第 4 部分——使用 Amalfi CMOS PA 進(jìn)行射頻模塊設(shè)計(jì) —— 現(xiàn)場直播 11 月 15 日 • 射頻功率放大器設(shè)計(jì)系列：第 5 部分——包絡(luò)跟蹤和仿真分析 ——現(xiàn)場直播 12 月 13 日 • 芯片、基板及封裝多工藝功放 模塊設(shè)計(jì)方法 —— 點(diǎn)播式 • 使用 X 參數(shù)*功率晶體管模型進(jìn)行功率放大器設(shè)計(jì) —— 點(diǎn)播式 安捷倫誠邀客戶體驗(yàn) ADS 2012 測試版。對全新 ADS 2012 的技術(shù)、應(yīng)用和功能感興趣的客戶可與當(dāng)?shù)氐膽?yīng)用工程師或現(xiàn)場銷售人員聯(lián)系，以了解更多信息。ADS 2012 的海報(bào)請參見 www.agilent.com/find/ADS2012SW_images 安捷倫將于10月15日至16日在復(fù)合半導(dǎo)體集成電路研討會（展位16）展示ADS 2012（美國加州，拉荷亞），并于10月29日至11月1日在歐洲微波周（展位 114）進(jìn)行展示（阿姆斯特丹RAI 國際會展中心）。安捷倫還將展示最新的微波、毫米波、無線、雷達(dá)和天線測試與測量解決方案，適用于電信、運(yùn)輸和醫(yī)療市場。業(yè)界領(lǐng)先的解決方案可使研發(fā)、設(shè)計(jì)與制造工程師開發(fā)并交付創(chuàng)新型產(chǎn)品。 安捷倫連續(xù)九年作為歐洲微波周的白金贊助商，將會主辦一系列研討會和技術(shù)演示。 |
