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作者: Peter Clarke, Rick Merritt ARM宣布將在今年10月底的ARM TechCon展會中探討14nm工藝面臨的挑戰，來自IBM的工程師Lars Liebman和ARM資深研發工程師Greg Yeric都將在會中發表演講，共同探討這個業界矚目的議題。 ARM的演講將探討IC定義所需的圖形化以及在涉及非平面架構時的困難程度，同時也將討論超紫外光(EUV)微影技術，并解釋在EVU到位以前，如何將雙重圖案運用光學微影技術來彌合技術差距。另外也將討論到多重圖案的復雜性。 ARM將在這次活動中探索14nm節點時芯片的功耗、面積及成本。另外，活動中也將針對FinFET的基本原理，以及FinFET對實體IP和更高層處理器IP的影響。也就是說，會中還將討論FinFET將對即將到來的ARM處理器核心及其周邊帶來哪些影響。 英特爾探路10nm 英特爾技術制造部總監Mark Bohr則是在稍早前的英特爾開發者論壇(IDF)中表示，已經找到采用浸入式微影技術來開發10nm工藝的方法，這家芯片制造商預計在2013年底開始14nm工藝生產芯片。 10nm制程預計在2015年或以后首度亮相。該制程的某些光罩將會需要四重圖形(quadruple patterning)，但“它仍具經濟性，”Bohr強調。 Bohr并未透露英特爾的14nm或10nm工藝計劃細節，僅強調了技術上的可行性。 一直以來，英特爾都致力于開發超紫外光(EUV)微影技術，最近也加入ASML的41億美元投資計劃，以推動該技術發展。“對我們而言，EUV相當重要，這就是為何我們投資ASML的主要原因，但我們仍然有許多選擇，包括采用多重圖形的浸入式技術等，”Bohr說。 英特爾預計，在14nm至少某些層將需要雙重圖形。若在10nm使用浸入式技術，則會有更多層需要雙重圖形，有些甚至會需要四重圖形。 在14nm，Bohr表示，“增加的晶圓以及雙重圖形成本仍可由芯片密度提升來抵消，因此，每一代晶體管的成本也都會以穩定的趨勢持續降低。” 他認為，即使是在10nm使用浸入式技術，該趨勢也將會一直持續。截至目前，“EUV比我預想的還要遲，我無法肯定它何時到來，”他說。 “我們可能是最后一家堅守每隔兩年投入新一代制程技術腳步的公司，”Bohr說。 英特爾位在俄勒岡州的元件和邏輯技術開發小組正在廣泛地探索各種電晶體、互連、記憶體和其他技術的可能性，不過，他們可不是只做這些事，”Bohr說。 Bohr談到了英特爾的芯片制造策略。“我們的目的并不在代工，但我們確實有著小規模的芯片制造業務，”他表示。除了銷售晶圓，這項工作“也為我們提供了額外優勢，就是能從其他的設計團隊獲得資訊，從而最佳化制程技術。” |
