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中芯國(guó)際集成電路制造有限公司今天宣布推出其1.2伏（V）低功耗嵌入式EEPROM的平臺(tái)，與其0.13微米（um）低漏電（LL）工藝完全兼容。該平臺(tái)經(jīng)過(guò)流片以及IP驗(yàn)證，在降低功耗、芯片尺寸和成本的同時(shí)，能提高數(shù)據(jù)的安全性。這個(gè)新平臺(tái)為中芯國(guó)際的成熟工藝節(jié)點(diǎn)提供了最新的增值服務(wù)，主打中國(guó)快速發(fā)展的雙界面金融IC卡市場(chǎng)及全球非接觸式智能卡市場(chǎng)。 建立在中芯國(guó)際的0.13微米低功耗技術(shù)上，該1.2V低功耗平臺(tái)使用字節(jié)模式操作的真正的EEPROM技術(shù)。與0.18微米EEPROM技術(shù)相比，該0.13微米平臺(tái)減少了約50％的芯片面積，同時(shí)降低了約50％的功耗。還可選用高速緩存控制器，在低功耗的同時(shí)加快讀取速度，為客戶提供了更大的設(shè)計(jì)靈活性。該平臺(tái)是卡類應(yīng)用最理想的平臺(tái)，如雙界面銀行卡、社會(huì)保障卡、醫(yī)療保險(xiǎn)卡、交通卡、電子護(hù)照和電子支付卡。該平臺(tái)集成了EEPROM、ROM、VR、OSC、I/O、存儲(chǔ)器編譯器和光檢測(cè)器（light detector）IP。除了上述中芯國(guó)際自己研發(fā)的IP，存儲(chǔ)器編譯器方面亦提供第三方IP的選擇。中芯國(guó)際的0.13微米過(guò)程中使用銅低k互連和硅化鈷晶體管的互連。以中芯國(guó)際0.13微米LL技術(shù)構(gòu)建的設(shè)備將支持溫度范圍從-40攝氏度到85攝氏度完整的讀取和編程操作，并且在55攝氏度的溫度下，10萬(wàn)讀取和寫(xiě)入周期后，還能保證至少30年的數(shù)據(jù)保存（等同于在室溫下超過(guò)300年的數(shù)據(jù)保存）。該平臺(tái)目前正在通過(guò)一百萬(wàn)次讀取和寫(xiě)入周期的品質(zhì)驗(yàn)證。 中芯國(guó)際商務(wù)長(zhǎng)季克非表示，"年底將有銀行IC卡產(chǎn)品在這一新平臺(tái)投片，我們?yōu)榭蛻舻姆e極反響感到鼓舞。根據(jù)我們多年0.18微米EEPROM的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)以及客戶的反饋，我們預(yù)期該技術(shù)將快速上量并帶來(lái)強(qiáng)勁的市場(chǎng)需求。" |
