|
中芯國際集成電路制造有限公司今天宣布推出其1.2伏（V）低功耗嵌入式EEPROM的平臺，與其0.13微米（um）低漏電（LL）工藝完全兼容。該平臺經過流片以及IP驗證，在降低功耗、芯片尺寸和成本的同時，能提高數據的安全性。這個新平臺為中芯國際的成熟工藝節點提供了最新的增值服務，主打中國快速發展的雙界面金融IC卡市場及全球非接觸式智能卡市場。 建立在中芯國際的0.13微米低功耗技術上，該1.2V低功耗平臺使用字節模式操作的真正的EEPROM技術。與0.18微米EEPROM技術相比，該0.13微米平臺減少了約50％的芯片面積，同時降低了約50％的功耗。還可選用高速緩存控制器，在低功耗的同時加快讀取速度，為客戶提供了更大的設計靈活性。該平臺是卡類應用最理想的平臺，如雙界面銀行卡、社會保障卡、醫療保險卡、交通卡、電子護照和電子支付卡。該平臺集成了EEPROM、ROM、VR、OSC、I/O、存儲器編譯器和光檢測器（light detector）IP。除了上述中芯國際自己研發的IP，存儲器編譯器方面亦提供第三方IP的選擇。中芯國際的0.13微米過程中使用銅低k互連和硅化鈷晶體管的互連。以中芯國際0.13微米LL技術構建的設備將支持溫度范圍從-40攝氏度到85攝氏度完整的讀取和編程操作，并且在55攝氏度的溫度下，10萬讀取和寫入周期后，還能保證至少30年的數據保存（等同于在室溫下超過300年的數據保存）。該平臺目前正在通過一百萬次讀取和寫入周期的品質驗證。 中芯國際商務長季克非表示，"年底將有銀行IC卡產品在這一新平臺投片，我們為客戶的積極反響感到鼓舞。根據我們多年0.18微米EEPROM的量產經驗以及客戶的反饋，我們預期該技術將快速上量并帶來強勁的市場需求。" |
