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作者：Altera公司總編輯Ron Wilson 隨著工藝技術(shù)從40 nm向28 nm的發(fā)展，不可避免的尺度效應(yīng)改變了基本單元的電特性——芯片設(shè)計人員必須采用的晶體管和互聯(lián)導(dǎo)線。這些新的晶體管級難題也導(dǎo)致了系統(tǒng)級IC體系結(jié)構(gòu)、實現(xiàn)以及性能的改變。這些芯片級變化建立了新領(lǐng)域，系統(tǒng)設(shè)計人員必須在其中開辟新途徑。 IC面市以來，工藝尺度一直在不斷進(jìn)展。在每一新工藝代，最小特征尺寸都減小了大約三分之一，最小的晶體管占據(jù)的面積也減小了兩倍。同時，數(shù)字電路的最大時鐘頻率在增大，功耗也在降低，其變化都相對穩(wěn)定。那么，在每一新工藝代，芯片設(shè)計人員能夠為系統(tǒng)開發(fā)人員提供新IC，集成了更多的功能，速度更快，而功耗更低。但是，這些都一去不復(fù)返了。 今天，為了減小晶體管的尺寸，工藝開發(fā)人員不得不提供給芯片設(shè)計人員涉及到速度、功耗和成本的一系列復(fù)雜條件。芯片設(shè)計人員必須采用他們所有的工具，包括新的電路設(shè)計、新體系結(jié)構(gòu)方法，并對算法進(jìn)行根本的修改，以便能夠以相競爭的價格繼續(xù)實現(xiàn)更好的性能，而功耗在可接受范圍內(nèi)。目前為止，這些方法是有效的，但是系統(tǒng)設(shè)計人員對此并不了解。28-nm工藝代的確是系統(tǒng)設(shè)計的新時代：在這一時代，系統(tǒng)設(shè)計人員必須理解提供硅片的芯片設(shè)計人員面臨的難題及其決定。 簡單尺度的結(jié)束 工藝工程師認(rèn)為，基本問題在于隨著晶體管尺寸的減小，互聯(lián)部分越來越短，電信號特性也在不斷變化。隨著晶體管的減小，它們無法自動提高速度，而是開始泄漏。那么，在28 nm，設(shè)計人員看到晶體管不再像以前那樣在各方面都繼續(xù)提升性能，而是出現(xiàn)了復(fù)雜的變化。您可以簡單的減小40-nm硅氮氧化物柵極晶體管的尺寸，實現(xiàn)相對較低的圓晶成本。但是，您既不能實現(xiàn)最高速率，也不能實現(xiàn)最低功耗。您可以通過應(yīng)變工程提高速度，采用高k/金屬柵極(HKMG)堆減小泄漏電流，但是增加了成本。在一定程度上，您可以通過改變工作電壓來綜合考慮功耗問題。您可以通過控制晶體管的閾值電壓，或者設(shè)計修改，應(yīng)用體偏置，犧牲速度以減小泄漏電流。但是，對于所有應(yīng)用，沒有一個最佳平衡點，能夠以最低功耗實現(xiàn)速度最快的晶體管。 
圖1.晶體管泄漏源 表1.晶體管泄漏主要來源
同時，晶體管電路的最基本單元——走線，也成為一個問題。隨著晶體管尺寸的減小，互聯(lián)前幾層的走線相應(yīng)的變窄。但是，現(xiàn)代工藝通過充滿高電阻率阻隔材料來處理這些窄溝道互聯(lián)，其目的是保持銅原子多孔低k絕緣。隨著工藝尺寸的減小，溝道越來越窄，但是，阻隔材料并沒有變薄，因此，銅的空間更小，阻抗也就越來越大。更糟的是，在工作溫度時，銅材料填充區(qū)現(xiàn)在靠近電子的平均自由通路，因此，銅電阻率明顯增大�？傮w上，最底層的互聯(lián)電阻增大了，進(jìn)一步降低了晶體管的性能，增大了功耗。 因此，隨著工藝的發(fā)展，芯片設(shè)計人員目前看到了有意思的場景——密度增大了，但是，更需要綜合考慮速度、功耗和成本因素。結(jié)果是，在很多情況下，芯片設(shè)計人員發(fā)現(xiàn)采用新工藝技術(shù)后，速度并沒有很大的提高。 IC設(shè)計的新方向 28-nm工藝節(jié)點最大的好消息是顯著增大了晶體管密度，也就是在給定區(qū)域中，能夠容納更多的邏輯門、寄存器和存儲器。在很多應(yīng)用中，前幾代系統(tǒng)級IC已經(jīng)集成了適合集成實現(xiàn)的大部分功能。那么，在28 nm，芯片設(shè)計人員很容易使用所有這些額外的晶體管來提高性能，降低功耗，而這是調(diào)整工藝無法實現(xiàn)的�；蛘�，他們選擇更小的管芯來降低成本。他們也可以選擇組合使用這些方法，定制實現(xiàn)某些特殊的應(yīng)用。 在很多情況下，芯片設(shè)計人員會選擇嘗試實現(xiàn)系統(tǒng)開發(fā)人員所期望的芯片級性能指標(biāo)。他們可以通過使用晶體管來提高性能，在應(yīng)用中，發(fā)揮內(nèi)在的并行功能的優(yōu)勢。
圖2.兩類并行體系結(jié)構(gòu) 發(fā)揮并行功能的優(yōu)勢 有幾種方式來實現(xiàn)并行功能。至少與應(yīng)用相關(guān)的一種方式是簡單延長設(shè)計中執(zhí)行單元的流水線，在指令級一次執(zhí)行多條指令。對于數(shù)字算法的內(nèi)循環(huán)加速器等應(yīng)用，例如，數(shù)字信號處理，這一方法特別有效。但是，在通常的計算中，研究表明，同時一次執(zhí)行三條指令反而會降低性能。 一種密切相關(guān)的方法是建立功能級模塊流水線，這是數(shù)據(jù)包處理應(yīng)用中目前常用的方法。在這種方法中，數(shù)據(jù)通過處理器鏈，每一處理器都對數(shù)據(jù)進(jìn)行某一特殊的功能處理。這類流水線與具體應(yīng)用密切相關(guān)，如果功能與狀態(tài)或者數(shù)據(jù)相關(guān)，在執(zhí)行過程中，設(shè)計人員嘗試改變流水線的工作時，設(shè)計會變得非常復(fù)雜。 目前在并行方面最流行的方法是多處理器，很多處理器從共享存儲器中采集數(shù)據(jù)和任務(wù)，并行工作。在這方面有很多變化。數(shù)字加速器通常使用單指令多數(shù)據(jù)(SIMD)群，每一處理器單元裝入不同的數(shù)據(jù)，但是，都使用公共的指令流。在處理器群中，每一處理器完成固定的任務(wù)，從輸入序列中采集數(shù)據(jù)，在輸出序列中產(chǎn)生結(jié)果，彼此相互獨立。還有全動態(tài)多核設(shè)計，完全相同的處理器從工作序列中采集任務(wù)和數(shù)據(jù)，執(zhí)行它們，除了內(nèi)部任務(wù)通信之外，彼此獨立工作。 所有這些方法都有效的提高了系統(tǒng)級IC的處理帶寬。或者，芯片設(shè)計人員可以通過并行方法來維持性能不變，但是減小了每一獨立處理單元的時鐘速率，支持采用更低的工作電壓，以及低泄漏晶體管和相似的低功耗方法。但是，只有具體應(yīng)用有足夠的并行功能，處理單元保持忙狀態(tài)，不會中斷時，這些方法才有效。但這是很大的挑戰(zhàn)。 可能最明顯的問題是以足夠快的速度實現(xiàn)管芯數(shù)據(jù)的輸入輸出，以跟上處理能力的變化。芯片設(shè)計人員能夠成功的使用越來越強的并行功能以提高芯片處理帶寬。但是，I/O帶寬和存儲器帶寬都沒有及時跟進(jìn)。越來越有可能設(shè)計系統(tǒng)級IC，但實際上無法很快的移動數(shù)據(jù)以支持自己的處理速度。 由于復(fù)雜的DRAM時序，采用并行功能進(jìn)一步加劇了這一問題。如果DRAM必須支持不同處理單元或者高速緩存控制器存儲器不同任務(wù)的存儲器申請隨機散射功能，那么，頁缺失的頻率會明顯增大，影響總帶寬和DRAM傳送的預(yù)測能力。非常復(fù)雜的DRAM控制器能夠解決這一問題，但是，代價是增大了每一處理操作的延時不確定性。類似的，芯片設(shè)計人員會采用基于收發(fā)器的高速串行總線，例如，PCI Express Gen3等，或者Interlaken等芯片至芯片連接技術(shù)以提升I/O帶寬。但是，很多處理器單元不協(xié)調(diào)的申請會影響最佳突發(fā)或者流總線協(xié)議，降低了快速I/O的效率。 降低功耗 芯片設(shè)計人員可以使用28-nm工藝額外的晶體管再度提高性能指標(biāo)，甚至可能利用晶體管來降低功耗。從一開始就選擇應(yīng)用最佳工藝來提高效率，選擇晶體管閾值電壓和工作電壓的最佳組合。某些設(shè)計會在芯片的整個邏輯部分選擇一個工作點。其他的在不同模塊上采用不同的電壓，只有很少的會根據(jù)特殊管芯的性能要求、溫度以及固有速度來動態(tài)調(diào)整關(guān)鍵模塊的工作電壓。類似的，很多設(shè)計采用了具有不同閾值電壓或者可調(diào)閾值電壓的晶體管，選擇足夠快的晶體管，使模塊甚至是某一時序通路達(dá)到時序收斂。某些設(shè)計還會關(guān)掉空閑模塊的時鐘或者電源。這類動態(tài)方法實際上非常有效，但是帶來了晶體管成本問題，以及功耗開銷，增大了延時，例如，時鐘頻率或者電壓轉(zhuǎn)換延時等。
圖3.相同工藝，相同體系結(jié)構(gòu)在0.85 V和1.0 V時的靜態(tài)和動態(tài)功耗對比 系統(tǒng)設(shè)計人員的任務(wù) 芯片設(shè)計人員追求的主要策略——增強并行使用，依靠寬帶外部存儲器，尋找更大的I/O帶寬，以及總功耗管理等，這都會影響使用IC的系統(tǒng)開發(fā)人員。這些影響涉及到算法設(shè)計、軟件開發(fā)、電路板設(shè)計以及最終的封裝和散熱設(shè)計。 在算法級，越來越多的依靠并行硬件帶來了變化。例如，與高速的單個處理器相比，并行處理通常能夠顯著增大延時——輸入出現(xiàn)在芯片上的時間與其出現(xiàn)在芯片輸出之間的時間差。系統(tǒng)設(shè)計人員必須要理解這些越來越大的延時對系統(tǒng)行為的影響。另一可能存在的問題是并行方法，特別是多處理，需要修改算法才能實現(xiàn)所需的數(shù)據(jù)或者并行任務(wù)。系統(tǒng)設(shè)計團隊有足夠的技術(shù)能力和文檔來改變基本算法，或者他們能夠依靠IC供應(yīng)商來獲得幫助嗎? 對I/O帶寬越來越大的需求帶來了系統(tǒng)級難題。通過不斷增加快速引腳的數(shù)量來實現(xiàn)所需的吞吐量，這會在電路板設(shè)計上帶來難以處理的布線和信號完整性問題。相應(yīng)的，芯片設(shè)計人員越來越多的采用基于收發(fā)器的高速串行總線和鏈路，例如，包括PCI Express Gen3和Interlaken等。DRAM供應(yīng)商進(jìn)一步推動了這一趨勢的發(fā)展，其理念包括串行端口存儲器技術(shù)組，以及Micron的混合存儲器立方計劃等。在所有這些情況中，當(dāng)數(shù)據(jù)輸入輸出管芯時，高速串行鏈路能夠顯著增大帶寬，降低傳輸功耗。但是基于收發(fā)器的鏈路有自己的延時問題，系統(tǒng)設(shè)計人員還是要理解這些延時對系統(tǒng)行為的影響。 功耗管理帶來了另一些難題，怎樣解決功耗這一問題已經(jīng)從工藝工程師傳遞到芯片設(shè)計人員，以及系統(tǒng)設(shè)計人員。對于這些難題，需要首先正確的理解最終系統(tǒng)的應(yīng)用指標(biāo)。在哪些環(huán)境下需要哪些任務(wù)，每一任務(wù)需要多大的性能?在某一應(yīng)用模式中，任務(wù)和每一功能模塊的相對比例是多大?這些問題的答案會影響基本工藝技術(shù)的選擇，以及功耗管理協(xié)議的選擇。在后一種情況中，對于系統(tǒng)設(shè)計團隊而言，非常重要的是理解系統(tǒng)需要什么樣的IC功耗管理。電路板需要提供多種電壓嗎?必須要改變它們，或者接通關(guān)斷它們，如果這樣，控制器會有多復(fù)雜? 更重要的另一點是，軟件在多大程度上理解應(yīng)用指標(biāo)，能夠應(yīng)用多少這類知識。例如，如果系統(tǒng)軟件不能正確的預(yù)測主要模塊不工作的時間，并將這一信息傳遞給功耗管理系統(tǒng)，那么，芯片級復(fù)雜的功耗管理協(xié)議實際上會浪費而不是減小功耗。 結(jié)論 在28-nm時代，系統(tǒng)只能通過積極的選擇半導(dǎo)體技術(shù)，與芯片設(shè)計和系統(tǒng)設(shè)計積極的進(jìn)行交流才能滿足性能、功耗和成本需求。 |
