|
GlobalFoundries公司正在仔細考慮其20nm節點的低功耗和高性能等不同工藝技術，而在此同時，多家芯片業高層也齊聚一堂，共同探討即將在2014年來臨的3D IC，以及進一步往7nm節點發展的途徑。 IBM的專家指出，下一代的20nm節點可支持最佳化的低功耗和高性能工藝技術。而GlobalFoundries將在今年八月決定，是否提供這些不同的工藝選項。 這些僅僅是今年度GSA Silicon Summit上討論的兩個焦點。與會的芯片業高層還討論了預計在2014年到來，但仍面臨諸多挑戰的3D IC，以及腳步緩慢但仍然預見可朝7nm邁進的CMOS微縮技術。 “臺積電最近表示其20nm 節點在工藝優化方面并沒有顯著差異，但我并不這么認為，” IBM院士暨微電子部門首席技術專家Subramanian Iyer說。“我相信，在相同的節點上，你可以擁有兩種不同的工藝，”他在主題演講中表示。 事實上，GlobalFoundries正在考慮是否是在為20nm提供高性能和低功耗工藝。 “我們仍在與主要客戶討論該做些什么，針對性能和功耗方面，可能要做出更多取舍，”GlobalFoundries先進技術架構主管Subramani Kengeri表示。 他指出，20nm的變化空間可能相對更加狹小，而且從經濟面來看也未必可行。IBM的Iyer則認為，臺積電決定僅提供一種20nm工藝，其經濟面的考量可能多于技術面。 接下來，采用FinFET的14nm工藝，則將為芯片產業開創更大的機會，如提供0.9V的高性能版本，以及0.6V的低功耗變種工藝等。此外，與傳統轉移到一個新工藝節點相較，14nm節點可提供的利益也預估將高出兩倍之多。 從歷史角度來看，要為每一個節點提供不同工藝變化，都會需要在基礎工藝上添加獨特且復雜的特性，IBM的Iyer說。他指出，過去，我們在每一代工藝節點都擁有不同功能的工藝，現在不大可能驟然讓它們完全消失。 2014年，迎接3D IC到來 此外，芯片業高層也探討了幾種可望在2014年量產，采用硅過孔(TSV)的3D IC。 思科系統(Cisco Systems)封裝專家暨技術品質部副總裁Mark Brillhart表示，3D IC將改變游戲規則。他認為3D IC將有幾種不同的形式，而且很快就會步入大量應用。 “自1996年的覆晶封裝技術熱潮以來，我從未想像過封裝技術能再次令人感到振奮，”Brillhart說。 高通(Qualcomm)“非常高興”能在實驗室中采用Xilinx的2.5D FPGA來開發原型，高通工程部副總裁Nick Yu表示。他預計，運用TSV來鏈接Wide I/O的高端智能手機用移動應用處理器最快今年或明年便可問世。 “我們會在許多不同領域看到這些強大的3D技術，”IBM的Iyer表示，他們已經制造出了數款使用TSV堆疊處理器和DRAM的原型產品。 目前的CPU有8～12個核心，未來還將朝采用3D IC技術，堆疊24個核心與DRAM還有散熱片的方向發展。IBM也對于‘在硅中介層上建構系統’(system on an interposer)的2.5D模組深感興趣，在這些模組中，存儲芯片在硅基板上圍繞著處理器而建置，并使用去耦電容來改善功率調節性能。 “這個領域不斷出現更多的創新，它們將帶來更顯著的差異化，但共同點在于它們都將提供適合移動應用的優勢，”他補充說。 但3D芯片仍有許多待解的難題。工程師仍不知如何解決3D IC產生的熱問題，他們需要新的測試策略和制造工具，他們也正在推動各領域的設計師們形成新的供應鏈，就各種技術和商業問題展開深入合作及探索。 “現階段，成本是3D芯片面臨的最大問題，”高通的Yu表示。 他表示，臺積電提出的端對端(end-to-end)3D服務會是低成本的說法并不能讓他信服。他進一指出，不同的3D產品會需要不同的供應鏈。 “設備占單位成本很大一部份，”日月光集團(ASE Group)工程暨業務部資深副總裁Rich Rice說。該公司正在安裝鍵合/剝離(bonding/de-bonding)、晶圓薄化和其他負責處理所謂3D工藝中間步驟的設備。“即使是在較傳統的后段工藝領域，當我們決定量產，我們也必須擔負必要的資本支出，”Rice說。 應用材料(Applied Materials)發言人指出，業界需要新的3D系統，設備制造商正在努力準備為450mm晶圓和20、14nm節點做準備。 思科的Brillhart表示，他擔憂的事情還有很多，包括為了找到讓3D芯片獲利的可行方法，彼此競爭的公司有時也必須合作。 摩爾定律步伐緩慢 好消息是，專家們認為，一直到至少7nm節點，都不會出現根本性的障礙。但壞消息則是“更微小節點的優勢正不斷被侵蝕，”IBM的Iyer說。 罪魁禍首就光刻技術。今天業界采用的193nm浸入式光刻技術已經被要求用在22甚至14nm節點。 “這導致了愈來愈高的成本，”Iyer說。“另外，復雜的圖形解決方案也讓我們感到焦慮。” 光刻成本確實會在20nm和14nm節點劇烈飆升，GlobalFoundries的Kengeri表示。他指出，額外的復雜性以及工藝和設計成本，是讓傳統芯片產業每兩年跨越一個技術世代的時程開始延長的主要原因之一。 業界多花費了三季的時間來達到符合品質要求的32/28nm技術節點，這要比過去所花費的時間多出一季，Kengeri說。“可看到整個產業的腳步正在趨緩，”他表示。 根據美林(Merrill Lynch)的報告，一個14nm的SoC專案成本可能會上揚到2.5億美元，Marvell Semiconductor制造部副總裁Roawen Chen說。掩膜成本約700萬美元，且從投片到產出首個硅芯片的時間可能會延長到六個月，他表示。 “事實是它將變得更加昂貴，”Chen說。 但也有好消息，IBM的研究人員已經發現了制造出僅內含25個原子元件的方法，這為邁向7nm工藝節點開啟了全新道路。“在朝7nm前進的道路上，我們并沒有看到根本性的問題存在，”Iyer說。 |
