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談論待機功耗

發布時間:2012-4-29 21:00    發布者:1770309616
  能減排已經成為全球的大趨勢,在這一個趨勢下,現在,除了把電子設備運行時的功耗降低外,標準組織、半導體廠商也在把電子設備的待機功耗進一步,以節省更多的能耗和資金,數年前,如果說要將電子設備待機個功耗降低到幾十毫瓦,很多人會你認為是瘋狂的想法,而現在這已經成為現實,而且,實際上,這還有進一步降低的空間,近日,恩智浦半導體資深產品市場經理張錫亮分享了降低功耗的四個重要舉措。
  待機功耗=驚人的浪費
  據張錫亮介紹,數據顯示,平均下來,每個家庭每年僅在制冷、白家電、小家電等方面的支出就占到了40%左右,從待機功耗上測試,家庭電視機頂盒在一天待機狀態下的耗電量為0.131度,一個月按照30天算就是3.93度電,一年按365天算就是47.82度電,按照目前一度電0.52元計算,一年將多支出電費24.87元。
  
  如果按每個筆記本每天待機功耗0.5W計算,每年消耗的電能和資金就是
  200M*0.5W*365*24=876,000M Wattage/Hour=876M度=4,380MNT$=931.9MRMB=9億3千萬人民幣!
  如果按每個手機充電器待機功耗0.3W來計算,每年都消耗就是:
  1500M*0.3W*365*24=3,942,000M wattage/hour =3,942M度=19,710MNT$=4,194MRMB=41億9千萬人民幣
  可見待機功耗造成的浪費是非常驚人的!實際上,在日常生活中,我們是經常把電腦、筆記本、電視機、機頂盒、充電器置于待機狀態的,所以這些消耗是實實在在發生的。
  針對待機功耗驚人的浪費,標準組織早就著手制定嚴格的規定,這是歐盟的能效星級標準
  
  能源之星也有類似的規定,不過張錫亮表示,這個規定還不夠嚴苛,所以他預計能源之星會出臺更嚴苛的標準。
  
  降低功耗的四大舉措
  面對嚴格的待機功耗標準需求,半導體廠商各出奇招,努力降低待機功耗,張錫亮分享了NXP的四大舉措,就是:
  1、采用burst模式提供輕載時的效率
  所謂的Burst Mode就是間歇振蕩模式,是降低待機損耗的常用手段,當開關頻率降低到20K附近的時候如果還要繼續減小損耗,就可以進入Busrt mode,此時的開關波形是振一會停一會,這樣就可以進一步減小開關損耗。張錫亮解釋說,從下圖可以看出,電源的損耗在低功耗時主要由開關損耗來主導,可以用burst模式來降低損耗,不過,他說要注意選擇一個好的效率平衡點。
  
  BURST 模式的主要是通過對電感電流峰值最小值的鉗位來實現的。使能BURST 模式要將MODE接低電平,讓BL」RST信號通過選擇器到SLEEP。
  
  BURST 模式的具體工作過程見下圖,在輕載時,主功率管對負載是過充的,電感充向負載的電流大于負載電流,多余的電流就流向輸出大電容,這導致輸出電壓的升高。V而的升高到Bt)RST遲滯比較器的高值時,輸出BUSRr信號翻轉,傳輸至SLEEP信號,關斷主功率管,等電感電流反向時關斷同步管,同時還關斷系統中其他的大部分電路,使靜態功耗降低。當主功率管被關斷,負載電流由輸出濾波電容提供,所以輸出電壓下降,當降到BURST遲滯比較器的低值時,BUSRf信號使能主功率管,系統重新進入峰值電流鉗位狀態工作。高負載用同步整流輕負載的情況下效率要高。
  2、在高負載時采用同步整流技術
  同步整流是采用通態電阻極低的專用功率MOSFET,來取代整流二極管以降低整流損耗的一項新技術,它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區電壓。因為功率MOSFET屬于電壓控制型器件,它在導通時的伏安特性呈線性關系。用功率MOSFET做整流器時,要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能,故稱之為同步整流。
  
  實際上,開關電源的損耗主要由3部分組成:功率開關管的損耗,高頻變壓器的損耗,輸出端整流管的損耗。在低電壓、大電流輸出的情況下,整流二極管的導通壓降較高,輸出端整流管的損耗尤為突出。快恢復二極管(FRD)或超快恢復二極管(SRD)可達1.0~1.2V,即使采用低壓降的肖特基二極管(SBD),也會產生大約0.6V的壓降,這就導致整流損耗增大,電源效率降低。
  目前筆記本電腦普遍采用3.3V甚至1.8V或1.5V的供電電壓,所消耗的電流可達20A。此時超快恢復二極管的整流損耗已接近甚至超過電源輸出功率的50%。即使采用肖特基二極管,整流管上的損耗也會達到(18%~40%)PO,占電源總損耗的60%以上。因此,傳統的二極管整流電路已無法滿足實現低電壓、大電流開關電源高效率及小體積的需要,成為制約DC/DC變換器提高效率的瓶頸。(來源:百度百科)
  3、采用SOI工藝提升系統能效
  實際上,NXP 的Green chip芯片都是采用了其獨有的SOI工藝和設計,可以大幅度提升電源系統的能效,與普通電源相比,可以節能達20~30%,NXP的MOSFET也是采用這個工藝技術,可以將導通電阻做的很低。
  4、采用Multi mode 實現能效的均衡
  這實際上是一種變頻的技術,具體說來,就是在重負載下,減小PWM的頻率,這樣把開關損耗降到最低,還可以減少EMI。
  
  在輕負載時,則關掉PFC轉換器,提升能效,這是通過輕載是降低反激式開關電源頻率來實現的,另外,張錫亮也表示可以在反饋環路中接一個更高歐姆值的梯形電阻來降低輕載時的損耗。
  
  
  
  他也指出,在降低待機功耗的時候要注意消除噪聲
  
  目前NXP green chip芯片的待機功耗測試指標
  
  NXP融合了上述四種技術的各類控制器產品
  
  未來,待機功耗標準會越來越嚴格,半導體廠商還會從哪些途徑降低待機功耗?張錫亮表示,NXP已經研發出了新的技術來降低待機功耗,這個技術預計在今年下半年發布。有興趣的可以關注下。

來源:電子創新網
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