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采用TSOP-6封裝、搭載最新低壓HEXFET的功率MOSFET（IR）

發布時間：2012-4-24 10:52    發布者：eechina
關鍵詞： 功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET硅技術的器件，適用于電池保護與逆變器開關中的負載開關、充電和放電開關等低功率應用。

全新的功率MOSFET具備極低的導通電阻(RDS(on))，能夠大幅降低傳導損耗。新產品可以作為N及P通道配置里的20V或30V器件，最大柵極驅動從12Vgs到20Vgs不等。



所有新器件均達到第一級潮濕敏感度 (MSL1) 業界標準，并符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS)，不含鉛、溴化物和鹵素。

產品規格
  器件編號

  (- TRPbF)
  		  
BVDSS
  		  
VGS
最大值
  		  
25ºC
時的最大Id
  		  
典型/最大導通電阻(mΩ)
  
  
10V
  		  
4.5V
  		  
2.5V
  
  IRFTS9342
  		  -30V
  		  
20V
  		  
5.9A
  		  
31/39
  		  
53/66
  		  
NA
  
  IRLTS2242
  		  -20V
  		  
12V
  		  
6.9A
  		  
N/A
  		  
26/32
  		  
45/55
  
  IRLTS6342
  		  30V
  		  
12V
  		  
7.8A
  		  
12/20
  		  
15/24
  
  IRFTS8342
  		  30V
  		  
20V
  		  
8.2A
  		  
15/19
  		  
22/29
  		  
N/A
  

新器件正接受批量訂單。相關數據及MOSFET產品選型工具，請瀏覽IR的網站www.irf.com。
本文地址：http://m.qingdxww.cn/thread-90700-1-1.html     【打印本頁】

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