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新思科技與英特爾深化EDA與IP合作,全球首發基于18A工藝的PowerVia背面供電代工方案

發布時間:2025-5-22 10:42    發布者:eechina
關鍵詞: 新思科技 , 英特爾 , EDA , PowerVia
在近日舉行的英特爾代工Direct Connect 2025大會上,全球EDA與IP解決方案領導者新思科技(Synopsys)宣布與英特爾代工服務(Intel Foundry Services, IFS)達成深度合作,推出覆蓋Intel 18A及18A-P工藝節點的全棧式設計解決方案。雙方聯合實現業界首個商用PowerVia背面供電技術代工方案,并依托AI驅動的數字和模擬設計流程,為AI、高性能計算(HPC)及數據中心芯片提供從硅片到系統的全鏈路加速能力。

技術突破:AI驅動設計流程+PowerVia背面供電雙引擎

此次合作的核心亮點包括:

AI驅動設計流程認證:新思科技數字和模擬設計流程已通過英特爾18A工藝認證,并針對18A-P工藝完成量產優化。其AI算法可動態調整晶體管級參數,將設計迭代周期縮短30%,功耗優化效率提升25%。
PowerVia背面供電商用化:作為全球首個支持PowerVia技術的EDA方案,新思科技通過熱效應感知功能實現供電網絡與信號互連的物理隔離,將芯片功耗降低18%,信號完整性提升40%。該方案已應用于英特爾18A工藝風險試產芯片,良率達到92%以上。
3D IC平臺協同優化:新思科技3DIC Compiler平臺無縫集成英特爾EMIB 2.5D與Foveros 3D封裝技術,支持UCIe接口自動布線與芯粒(Chiplet)互連驗證,可將多裸晶芯片系統設計周期壓縮50%。



IP組合:覆蓋PCIe 7.0、224G以太網等下一代接口

為加速客戶產品上市,新思科技推出針對18A工藝的全場景IP組合:

高速接口IP:PCIe 6.0/7.0、224G以太網、UCIe 2.0,其中PCIe 7.0 IP基于PAM4調制技術,單通道速率達112GT/s,較PCIe 5.0提升4倍。
基礎IP與SLM IP:嵌入式存儲器、邏輯庫、IO庫及PVT傳感器,支持-40℃至125℃寬溫域工作,滿足車規級芯片需求。
芯片生命周期管理IP:內置硬件級安全引擎與實時健康監測模塊,可預測芯片退化并觸發動態修復。

生態協同:從18A到14A-E的代際演進

雙方合作已延伸至英特爾下一代工藝節點:

18A-P工藝量產準備:新思科技EDA工具包針對18A-P的RibbonFET晶體管與增強型PowerVia技術完成優化,支持0.6V超低電壓設計,能效比達18A工藝的1.3倍。
14A-E工藝早期協同:新思科技已啟動針對14A-E工藝的設計技術協同優化(DTCO),重點攻克PowerDirect直接觸點供電技術與1.8nm以下制程的光刻對準難題。

市場影響:重塑埃米級芯片競爭格局

據Counterpoint Research預測,2026年全球基于18A及以下工藝的AI芯片市場規模將突破120億美元,年復合增長率達65%。新思科技與英特爾的合作將直接推動:

AI推理芯片能效革命:通過PowerVia技術與新思科技IP組合,AI推理芯片的每瓦性能(TOPS/W)可提升2倍,加速大模型在邊緣端的部署。
數據中心算力躍遷:基于18A工藝的HPC芯片支持每秒千萬億次浮點運算(PetaFLOPS),配合新思科技224G以太網IP,可構建單柜100TB/s帶寬的AI集群。
芯粒生態標準化:作為英特爾代工芯粒聯盟創始成員,新思科技將推動UCIe 2.0與3D IC平臺的互操作性標準,降低芯粒設計門檻。

行業評價:從工具鏈到生態鏈的范式升級

英特爾代工生態系統技術辦公室副總裁Suk Lee表示:“與新思科技的合作不僅限于工具鏈優化,更通過PowerVia、RibbonFET等創新技術的聯合攻關,實現了設計-制造-封裝的‘三域協同’?蛻艨苫陔p方方案,在6個月內完成從架構定義到流片的全流程。”

新思科技IP事業部高級副總裁John Koeter指出:“埃米級工藝對EDA與IP的要求已超越傳統PPA(功耗、性能、面積)范疇,需融入熱管理、應力分析、安全防護等多維度考量。我們的解決方案正是為此而生。”
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