|
美國加州當(dāng)?shù)貢r間25日，半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會（SEMI）發(fā)布最新預(yù)測報告，為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來重要信號：今年全球晶圓廠前端設(shè)施設(shè)備支出將較2024年小幅提升2%，達到1100億美元，并且實現(xiàn)了自2020年以來的連續(xù)六年錄得正增幅。 這一預(yù)測結(jié)果的背后，反映出全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正持續(xù)展現(xiàn)出強大的韌性與活力。隨著科技的飛速發(fā)展，眾多新興領(lǐng)域?qū)Ω咝阅苄酒男枨蟛粩嗯噬蔀橥苿泳A廠設(shè)備支出增長的核心動力。 在技術(shù)層面，人工智能（AI）、高性能計算（HPC）等前沿科技領(lǐng)域的發(fā)展，促使行業(yè)對先進制程芯片的渴望日益強烈。例如，2納米以下先進制程工藝逐漸成為頭部企業(yè)競相追逐的目標(biāo)。以臺積電、三星和英特爾為代表的行業(yè)巨頭，紛紛加大研發(fā)投入，積極推進2納米工藝的量產(chǎn)計劃，預(yù)計到2026年相關(guān)生產(chǎn)線將全面落地。與此同時，背面供電（Backside Power Delivery）等突破性技術(shù)也在不斷涌現(xiàn)，被視為延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵創(chuàng)新，通過將電源布線從晶體管正面轉(zhuǎn)移至背面，不僅能顯著降低芯片功耗，還能大幅提升芯片性能，為AI芯片、自動駕駛處理器等對性能要求極高的應(yīng)用場景提供有力支撐。 再看市場層面，存儲市場的結(jié)構(gòu)性分化十分明顯。雖然DRAM設(shè)備支出預(yù)計在2025年同比下降6%至210億美元，但這種下滑只是階段性調(diào)整，隨著數(shù)據(jù)中心對高帶寬內(nèi)存（HBM）需求的激增，三星、SK海力士等廠商已經(jīng)加快向HBM3E和DDR5技術(shù)轉(zhuǎn)型，相關(guān)產(chǎn)能擴張計劃將于2026年集中釋放，屆時DRAM設(shè)備支出有望在2026年反彈19%至250億美元 。而NAND領(lǐng)域則呈現(xiàn)強勢復(fù)蘇的態(tài)勢，2025年設(shè)備支出預(yù)計同比飆升54%至100億美元，2026年將再增47%至150億美元，這主要得益于AI訓(xùn)練對高速存儲的強勁需求推動企業(yè)級SSD市場擴容，以及智能手機、PC廠商對大容量存儲升級需求的不斷增長。 在區(qū)域發(fā)展上，中國繼續(xù)在全球半導(dǎo)體市場中扮演著至關(guān)重要的角色。盡管面臨地緣政治壓力和出口管制的挑戰(zhàn)，中國今年仍以強大的預(yù)期支出穩(wěn)居區(qū)域設(shè)備投資榜首，預(yù)計支出將達380億美元，盡管同比下滑24%，但這主要是由于2024年政策補貼推動的產(chǎn)能集中釋放。從中長期來看，眾多本土企業(yè)仍在不斷擴大成熟制程產(chǎn)能，以滿足汽車電子、工業(yè)控制等本土化需求。韓國則在內(nèi)存技術(shù)優(yōu)勢的加持下全力加速反超，計劃通過加速產(chǎn)能和技術(shù)升級進一步鞏固市場地位，預(yù)計到2026年韓國設(shè)備投資將增長26%，達到270億美元 。中國臺灣持續(xù)以臺積電為核心鞏固其在先進制程領(lǐng)域的統(tǒng)治地位，2025年設(shè)備支出預(yù)計達210億美元，2026年將增至245億美元。 SEMI警告，隨著全球晶圓廠建設(shè)的持續(xù)推進，產(chǎn)能不斷擴張，全球需要新增約50萬半導(dǎo)體從業(yè)人員 ，以滿足約50家新晶圓廠在2025年和2026年投入生產(chǎn)所需。這也提醒著各國在重視技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)布局的同時，要關(guān)注人才儲備和培養(yǎng)，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)健康發(fā)展提供堅實的人力支撐。 |
