東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，最新推出采用S-VSON4T[1]封裝的光繼電器——“TLP3414S”與“TLP3431S”，具有比東芝現(xiàn)有產(chǎn)品更快的導(dǎo)通時(shí)間[2]。TLP3414S與TLP3431S的斷態(tài)輸出端電壓和通態(tài)電流額定值分別為40 V/250 mA和20 V/450 mA。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
新型光繼電器通過提高輸入側(cè)紅外LED的光輸出并優(yōu)化光電探測器（光電二極管陣列）的設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)高效的光耦合，將導(dǎo)通時(shí)間最大值縮短至150 μs。TLP3414S的導(dǎo)通時(shí)間比東芝現(xiàn)有產(chǎn)品TLP3414縮短約50 %，TLP3431S的導(dǎo)通時(shí)間比東芝現(xiàn)有產(chǎn)品TLP3431縮短約62 %。 此外，當(dāng)輸出打開時(shí)，這兩款產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻會影響信號衰減（TLP3414S：最大值3 Ω，TLP3431S：最大值1.2 Ω）；當(dāng)輸出關(guān)閉時(shí)，輸出電容會影響高頻信號泄漏（兩款產(chǎn)品均為典型值6.5 pF）。新產(chǎn)品與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品[2]相當(dāng)，確保了穩(wěn)定的信號傳輸。 新產(chǎn)品適用于半導(dǎo)體測試設(shè)備中的引腳電子[3]應(yīng)用，可在開關(guān)信號的同時(shí)以高精度高速測量待測設(shè)備（DUT）。 新產(chǎn)品由于采用小型S-VSON4T封裝，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品的VSON4封裝[4]相比表貼面積減少了約20 %，有助于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體測試設(shè)備和其他設(shè)備的小型化。 東芝將繼續(xù)提供更多高性能產(chǎn)品，以滿足半導(dǎo)體測試設(shè)備對更高性能和更快速度的需求。 應(yīng)用： - 半導(dǎo)體測試設(shè)備（高速存儲器測試設(shè)備、高速邏輯測試設(shè)備等） - 探測卡 - 測量設(shè)備 特性： - 高速導(dǎo)通時(shí)間：tON＝150 μs（最大值） - 低導(dǎo)通電阻： TLP3414S RON＝3 Ω（最大值） TLP3431S RON＝1.2 Ω（最大值） - 小型S-VSON4T封裝：1.45 mm×2.0 mm（典型值），厚度＝1.3 mm（典型值） 主要規(guī)格： （除非另有說明，Ta＝25 °C）
注： [1] S-VSON4T封裝：1.45 mm×2.0 mm（典型值） [2] 東芝現(xiàn)有產(chǎn)品TLP3414（額定值40 V/250 mA）和TLP3431（額定值20 V/450 mA），采用VSON4封裝 [3] 引腳電子（PE）：用于向待測設(shè)備（DUT）提供電源和測試信號，并判斷DUT的輸出信號的一種接口電路 [4] VSON4封裝：1.45 mm×2.45 mm（典型值） [5] TLP3414S的測試條件：RL＝200 Ω、VDD＝20 V、IF＝5 mA，TLP3431S：RL＝200 Ω、VDD＝10 V、IF＝5 mA 相關(guān)信息 技術(shù)文章 如需了解有關(guān)新產(chǎn)品的更多信息，請?jiān)L問以下網(wǎng)址： TLP3414S TLP3431S 如需了解東芝隔離器和固態(tài)繼電器的更多信息，請?jiān)L問以下網(wǎng)址： 隔離器／固態(tài)繼電器 如需了解有關(guān)新產(chǎn)品在線分銷商網(wǎng)站的供貨情況，請?jiān)L問以下網(wǎng)址： TLP3414S TLP3431S | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
