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—降低插入損耗，改善高頻信號傳輸特性— 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）推出采用小巧纖薄的WSON4封裝的光繼電器“TLP3475W”。它可以降低高頻信號中的插入損耗，并抑制功率衰減，適用于使用大量繼電器且需要實現高速信號傳輸的半導體測試設備的引腳電子器件。該產品于近日開始支持批量出貨。 
TLP3475W采用了東芝經過優化的封裝設計，這有助于降低新型光繼電器的寄生電容和電感。降低插入損耗的同時還可將高頻信號的傳輸特性提高到20GHz（典型值）——與東芝現有產品TLP3475S相比，插入損耗降低了約1/3[2]。 TLP3475W采用厚度僅為0.8mm（典型值）的小巧纖薄的WSON4封裝，是目前業界最小的[3]光繼電器，其成功的改善了高頻信號傳輸特性。它的厚度比東芝的超小型S-VSON4T封裝還薄40%，且支持在同一電路板上貼裝更多產品，將有助于提高測量效率。 東芝將繼續擴大其產品線，為更高速和更強大功能的半導體測試設備提供支持。 S21插入損耗特性 應用： - 半導體測試設備（高速存儲器測試設備、高速邏輯測試設備等） - 探測卡 - 測量設備 特性： - 業界最小的[3]WSON4封裝：1.45mm×2.0mm（典型值），厚度＝0.8mm（典型值） - 改善高頻信號的傳輸：當插入損耗（S21）＝–3dB時，f＝20GHz（典型值） - 常開功能（1-Form-A） 主要規格： （除非另有說明，Ta＝25℃）
[1] 當頻段范圍在幾百兆赫茲至上萬兆赫茲時。 [2] 信號通過輸出MOSFET時功率衰減比（插入損耗）為–3dB的頻段。 [3] 適用于光繼電器。截至2023年10月的東芝調查。 如需了解有關新產品的更多信息，請訪問以下網址： TLP3475W https://toshiba-semicon-storage. ... etail.TLP3475W.html 如需了解相關東芝光繼電器的更多信息，請訪問以下網址： 光繼電器（MOSFET輸出） https://toshiba-semicon-storage. ... -mosfet-output.html 如需了解相關新產品在線分銷商網站的供貨情況，請訪問以下網址： TLP3475W https://toshiba-semicon-storage. ... heck.TTLP3475W.html | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
