東芝推出適用于半導體測試設備中高頻信號開關的小型光繼電器

發布時間：2023-10-17 18:33 發布者：eechina

—降低插入損耗，改善高頻信號傳輸特性—

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）推出采用小巧纖薄的WSON4封裝的光繼電器“TLP3475W”。它可以降低高頻信號中的插入損耗，并抑制功率衰減，適用于使用大量繼電器且需要實現高速信號傳輸的半導體測試設備的引腳電子器件。該產品于近日開始支持批量出貨。

TLP3475W采用了東芝經過優化的封裝設計，這有助于降低新型光繼電器的寄生電容和電感。降低插入損耗的同時還可將高頻信號的傳輸特性提高到20GHz（典型值）——與東芝現有產品TLP3475S相比，插入損耗降低了約1/3[2]。

TLP3475W采用厚度僅為0.8mm（典型值）的小巧纖薄的WSON4封裝，是目前業界最小的[3]光繼電器，其成功的改善了高頻信號傳輸特性。它的厚度比東芝的超小型S-VSON4T封裝還薄40%，且支持在同一電路板上貼裝更多產品，將有助于提高測量效率。

東芝將繼續擴大其產品線，為更高速和更強大功能的半導體測試設備提供支持。

S21插入損耗特性

 應用：
- 半導體測試設備（高速存儲器測試設備、高速邏輯測試設備等）
- 探測卡
- 測量設備

 特性：
- 業界最小的[3]WSON4封裝：1.45mm×2.0mm（典型值），厚度＝0.8mm（典型值）
- 改善高頻信號的傳輸：當插入損耗（S21）＝–3dB時，f＝20GHz（典型值）
- 常開功能（1-Form-A）

 主要規格：
（除非另有說明，Ta＝25℃）

器件型號				TLP3475W
封裝	名稱			WSON4
	尺寸（mm）			1.45Í2.0（典型值），厚度＝0.8（典型值）
絕對最大額定值	斷態輸出端電壓VOFF（V）			60
	導通電流ION（A）			0.4
	導通電流（脈沖）IONP（A）			1.2
	工作溫度Topr（℃）			–40至110
耦合電氣特性	觸發LED電流IFT（mA）		最大值	3
	導通電阻RON（Ω）		典型值	1.1
			最大值	1.5
電氣特性	輸出電容COFF（pF）		最大值	20
開關特性	導通時間tON（ms）	@RL＝200Ω、	最大值	0.25
		VDD＝20V、
	關斷時間tOFF（ms）	IF＝5mA		0.2
隔離特性	隔離電壓BVS（Vrms）		最小值	300
庫存查詢與購買				在線購買

注：
[1] 當頻段范圍在幾百兆赫茲至上萬兆赫茲時。
[2] 信號通過輸出MOSFET時功率衰減比（插入損耗）為–3dB的頻段。
[3] 適用于光繼電器。截至2023年10月的東芝調查。

如需了解有關新產品的更多信息，請訪問以下網址：
TLP3475W
https://toshiba-semicon-storage. ... etail.TLP3475W.html

如需了解相關東芝光繼電器的更多信息，請訪問以下網址：
光繼電器（MOSFET輸出）
https://toshiba-semicon-storage. ... -mosfet-output.html

如需了解相關新產品在線分銷商網站的供貨情況，請訪問以下網址：
TLP3475W
https://toshiba-semicon-storage. ... heck.TTLP3475W.html

本文地址：http://m.qingdxww.cn/thread-843557-1-1.html 【打印本頁】

本站部分文章為轉載或網友發布，目的在于傳遞和分享信息，并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責；文章版權歸原作者及原出處所有，如涉及作品內容、版權和其它問題，我們將根據著作權人的要求，第一時間更正或刪除。