ISL6617AFRZ相位倍增器/MSC025SMA120B4，MSC040SMA120B碳化硅晶體管

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明佳達(dá)，星際金華供求 ISL6617AFRZ相位倍增器/MSC025SMA120B4，MSC040SMA120B碳化硅晶體管



ISL6617AFRZ 6mA PWM 倍增器，帶輸出監(jiān)控功能

產(chǎn)品描述
ISL6617AFRZ 相位倍增器采用單 PWM 輸入調(diào)制兩相電源組的方案。它將 3.3V 多相控制器可支持的相數(shù)增加了一倍。
ISL6617AFRZ 設(shè)計(jì)用于最大限度地減少高相數(shù)可擴(kuò)展應(yīng)用中控制器與驅(qū)動(dòng)器之間接口的模擬信號(hào)數(shù)量。

特性
專有的相位倍增器方案
提高了輕載到滿載的效率
相數(shù)翻倍或翻兩番
通過(guò) DCR 電流檢測(cè)和可調(diào)增益實(shí)現(xiàn)專利電流平衡
電流監(jiān)控輸出 (IOUT)，可簡(jiǎn)化系統(tǒng)接口和布局
用于模式選擇的三電平使能輸入
雙 PWM 輸出驅(qū)動(dòng)，用于兩個(gè)具有單 PWM 輸入的同步整流橋
通道同步和兩個(gè)交錯(cuò)選項(xiàng)
支持 3.3V PWM 輸入
支持 5V PWM 輸出
與 DCR 檢測(cè)或智能功率級(jí)檢測(cè)兼容
用于輸出級(jí)關(guān)斷的三態(tài) PWM 輸入和輸出

應(yīng)用
高電流、低電壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
高頻、高效 VRM 和 VRD
高相位數(shù)和移相應(yīng)用
3.3V PWM 輸入集成功率級(jí)或 DrMOS

N 溝道 1200 V 103A MSC025SMA120B4 MOSFET 碳化硅晶體管

產(chǎn)品描述
MSC025SMA120B4 器件是一款 1200 V、25 mΩ SiC MOSFET，采用 TO-247 4 引線封裝，具有源極檢測(cè)功能。

特點(diǎn)
低電容和低柵極電荷
低內(nèi)部柵極電阻 (ESR) 帶來(lái)快速開關(guān)速度

MSC040SMA120B 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

產(chǎn)品描述
MSC040SMA120B 器件是一款采用 TO-247 封裝的 1200 V、40 mΩ 碳化硅 MOSFET。

優(yōu)點(diǎn)
效率高，可實(shí)現(xiàn)更輕、更緊湊的系統(tǒng)
驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單，易于并聯(lián)