出售 TMS5701115CPGEQQ1，QH8MA4TCR，ISL6617AFRZ，AD7276ARMZ 電子器件

Mingjiada

TMS5701115CPGEQQ1：ARM® Cortex®-R 微控制器 IC 16/32-位 160MHz 1MB（1M x 8） 閃存 144-LQFP（20x20）
型號(hào)：TMS5701115CPGEQQ1
封裝：LQFP144
類型：嵌入式 - 微控制器
產(chǎn)品描述：TMS5701115CPGEQQ1是一個(gè)用于安全系統(tǒng)的高性能汽車級(jí)微控制器系列。其安全架構(gòu)包括鎖定的雙CPU、CPU和存儲(chǔ)器BIST邏輯、閃存和數(shù)據(jù)SRAM的ECC、外圍存儲(chǔ)器的奇偶校驗(yàn)以及外圍I/O的環(huán)回功能。
TMS5701115CPGEQQ1 產(chǎn)品屬性：
核心處理器：ARM® Cortex®-R4F
內(nèi)核規(guī)格：16/32-位
速度：160MHz
I/O 數(shù)：58
程序存儲(chǔ)容量：1MB（1M x 8）
程序存儲(chǔ)器類型：閃存
EEPROM 容量：64K x 8
RAM 大小：128K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：1.14V ~ 3.6V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器：A/D 24x12b
振蕩器類型：外部
工作溫度：-40°C ~ 125°C（TA）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：144-LQFP
供應(yīng)商器件封裝：144-LQFP（20x20）

二、QH8MA4TCR：MOSFET - 陣列 30V 9A，8A 1.5W 表面貼裝型 TSMT8
型號(hào)：QH8MA4TCR
封裝：8-SMD
類型：30V N和P通道MOSFET陣列 - 晶體管
QH8MA4TCR 產(chǎn)品屬性：
配置：N 和 P 溝道
漏源電壓（Vdss）：30V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：9A，8A
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：16 毫歐 @ 9A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：15.5nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：640pF @ 15V
功率 - 最大值：1.5W
工作溫度：150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：8-SMD，扁平引線
供應(yīng)商器件封裝：TSMT8

三、ISL6617AFRZ：PWM 倍增器 PMIC 10-DFN（3x3）
型號(hào)：ISL6617AFRZ
封裝：10-VFDFN
類型：PWM倍增器
ISL6617AFRZ 產(chǎn)品規(guī)格：
應(yīng)用：PWM 倍增器
電流 - 供電：6mA
電壓 - 供電：4.5V ~ 5.5V
工作溫度：-40°C ~ 125°C
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：10-VFDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：10-DFN（3x3）

四、AD7276ARMZ：12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器 1 輸入 1 SAR 8-MSOP
型號(hào)：AD7276ARMZ
封裝：MSOP8
類型：數(shù)據(jù)采集 - 模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）
AD7276ARMZ 產(chǎn)品特征：
吞吐率： 3 MSPS
指定的VDD為2.35V至3.6V
消耗功率
在3 MSPS時(shí)，3 V電源的功耗為12.6 mW
寬輸入帶寬
在1MHz輸入頻率下的70dB信噪比
靈活的電源/串行時(shí)鐘速度管理
無(wú)流水線延遲
高速串行接口
兼容SPI-/QSPI™-/MICROWIRE™-/DSP
溫度范圍： -40°C至+125°C
掉電模式： 0.1 μA（典型值）

深圳市明佳達(dá)電子，星際金華（長(zhǎng)期供應(yīng)）原裝庫(kù)存器件！
（供應(yīng)型號(hào)）TMS5701115CPGEQQ1，QH8MA4TCR，ISL6617AFRZ，AD7276ARMZ 電子器件
【供應(yīng)】只做原裝，庫(kù)存器件，價(jià)格方面由于浮動(dòng)不一，請(qǐng)以當(dāng)天詢問(wèn)為準(zhǔn)！
有興趣的朋友，歡迎隨時(shí)聯(lián)絡(luò)我們！