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近日，臺積電在其官方發(fā)布會上宣布，隨著2nm工藝技術(shù)的不斷突破和量產(chǎn)計(jì)劃的推進(jìn)，每片300mm的2nm晶圓價格預(yù)計(jì)將超過3萬美元大關(guān)。這一價格相較于目前市場上的4/5nm晶圓（價格區(qū)間約為1.5到1.6萬美元）和3nm晶圓（價格區(qū)間約為1.85萬至2萬美元）而言，漲幅顯著。 臺積電在2nm制程節(jié)點(diǎn)上取得了重大突破，首次引入了Gate-all-around FETs（GAAFET）晶體管技術(shù)，并結(jié)合了NanoFlex技術(shù)，為芯片設(shè)計(jì)人員提供了前所未有的標(biāo)準(zhǔn)元件靈活性。相較于當(dāng)前的N3E工藝，N2工藝預(yù)計(jì)將在相同功率下實(shí)現(xiàn)10%至15%的性能提升，或在相同頻率下將功耗降低25%至30%。更令人矚目的是，晶體管密度將提升15%，這標(biāo)志著臺積電在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一次飛躍。 然而，伴隨著技術(shù)的升級，成本也相應(yīng)攀升。據(jù)臺積電透露，新工藝的引入意味著更多的EUV光刻步驟，甚至可能采用雙重曝光技術(shù)，這無疑將進(jìn)一步提升生產(chǎn)成本。此外，先進(jìn)工藝研發(fā)費(fèi)用不斷增加，涉及IP授權(quán)、軟件驗(yàn)證、設(shè)計(jì)架構(gòu)等多個環(huán)節(jié)，這些成本最終都反映在了晶圓的價格上。 面對市場對2nm工藝技術(shù)的強(qiáng)烈需求，臺積電正不斷加大對該制程節(jié)點(diǎn)的投資力度。2nm晶圓廠將在中國臺灣的北部（新竹寶山）、中部（臺中中科）和南部（高雄楠梓）三地布局，以確保產(chǎn)能滿足市場需求。臺積電已規(guī)劃N2工藝于2025年下半年正式進(jìn)入批量生產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)客戶最快可在2026年前收到首批采用N2工藝制造的芯片。 |
