SK海力士今日正式宣布，公司已成功實現其最新的12層堆疊HBM3E（高帶寬內存）芯片的量產，此次量產的12層HBM3E芯片，不僅突破了現有存儲技術的限制，更實現了業界首個單顆36GB的內存封裝，較之前的HBM產品容量大幅提升50%。這一成果得益于公司創新的技術解決方案，包括將DRAM芯片制造得比以往更薄40%，并采用先進的硅通孔技術（TSV）進行垂直堆疊。通過這一設計，SK海力士成功在保持產品厚度不變的同時，顯著提高了存儲容量和性能。
在性能方面，HBM3E芯片同樣表現出色。其數據傳輸速率高達9.6Gbps，帶寬則達到了驚人的819GB/s，相比前一代產品有了質的飛躍。這一性能提升將極大地加速數據處理速度，滿足深度學習、實時數據分析等復雜應用場景的需求。同時，HBM3E還具備低延遲和高效能的特點，為圖形處理、機器學習和模擬仿真等應用提供了堅實的硬件基礎。 市場反應方面，SK海力士宣布量產12層HBM3E芯片的消息迅速引發了市場熱潮。公司股價在韓國市場一度上漲超過8%，市值突破120.34萬億韓元（約合6351.55億元人民幣）。這一表現不僅體現了市場對SK海力士技術實力的認可，也預示著HBM3E芯片在未來智能設備市場中的廣闊前景。 SK海力士作為全球唯一一家開發并向市場供應全系列HBM產品的企業，其在HBM存儲領域的領導地位進一步得到鞏固。公司表示，12層HBM3E芯片在面向AI的存儲器所需的速度、容量、穩定性等方面均已達到全球最高水平。這一產品的推出，不僅滿足了人工智能企業日益增長的需求，也為整個行業樹立了新的技術標桿。 業內人士認為，SK海力士的HBM3E芯片量產將推動高帶寬存儲解決方案進入新階段。特別是在人工智能和高性能計算領域，這一技術突破將為行業帶來重要的發展機遇。隨著5G和人工智能技術的迅猛發展，處理大數據的需求愈發明顯。HBM3E芯片憑借其高性能、低功耗的特點，將在智能設備市場占據重要位置，助力制造商實現更高效的產品設計和開發。 |
