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在最近的一次學(xué)術(shù)會(huì)議上，SK海力士副總裁文起一宣布了一項(xiàng)重要技術(shù)進(jìn)展，指出Chiplet（芯粒/小芯片）技術(shù)將在未來(lái)2到3年內(nèi)應(yīng)用于該公司的DRAM和NAND存儲(chǔ)產(chǎn)品控制器中。這一決策標(biāo)志著SK海力士在半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)域的又一重大邁進(jìn)。 文起一在會(huì)議上表示，并非所有存儲(chǔ)產(chǎn)品控制器的功能都需要采用最先進(jìn)的制造工藝。通過(guò)Chiplet設(shè)計(jì)，SK海力士可以將對(duì)工藝要求相對(duì)較低的功能模塊剝離出來(lái)，轉(zhuǎn)移到成本更低的成熟制程芯粒上。這種設(shè)計(jì)策略不僅不會(huì)影響產(chǎn)品的整體功能實(shí)現(xiàn)，反而能夠顯著降低成本，提升產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。 SK海力士目前正積極在內(nèi)部開(kāi)發(fā)Chiplet技術(shù)，并已加入U(xiǎn)CIe（Universal Chiplet Interconnect Express）產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，與全球半導(dǎo)體行業(yè)伙伴共同推動(dòng)Chiplet技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用。此外，SK海力士還于2023年在全球范圍內(nèi)申請(qǐng)注冊(cè)了用于Chiplet技術(shù)的Mosaic商標(biāo)，進(jìn)一步鞏固了其在該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。 文起一還提到，盡管用于連接HBM（高帶寬內(nèi)存）內(nèi)存各層裸片的新興工藝混合鍵合技術(shù)目前面臨諸多挑戰(zhàn)，包括CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）加工步驟需要更高精細(xì)度以及封裝加工引起的碎屑污染對(duì)HBM內(nèi)存良率的影響，但SK海力士堅(jiān)信這一技術(shù)仍將是未來(lái)的發(fā)展方向。公司將繼續(xù)投入研發(fā)資源，克服技術(shù)難題，推動(dòng)混合鍵合技術(shù)的成熟與應(yīng)用。 |
