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剛剛逝去的2011年，是風起云涌，充滿變數、磨難和驚奇的一年。這一年里，突如其來的日本地震海嘯、泰國洪水肆虐全球電子產業，諾基亞棄英特爾轉而投入了微軟的懷抱，谷歌斥巨資收購了摩托羅拉移動，喬布斯逝世讓全世界黯然，索尼愛立信手機成為歷史……在這轟轟烈烈的一年里，全球半導體業界有哪些事會對未來產業產生巨大影響，又有哪些事值得我們回顧？下面是本刊編輯部為您整理的2011年國際國內半導體產業大事件(排名不分先后)。 國際篇 日本地震海嘯沖擊全球半導體產業鏈 2011年3月日本發生的9.0級地震和海嘯震動了日本全國以及整個世界。這次地震與海嘯不僅重創了日本經濟，同時也打擊了全球半導體產業供應鏈。其中的重災區日本東北部是許多半導體晶圓廠所在地，東芝、索尼、瑞薩電子、德州儀器、飛思卡爾半導體和富士通等重要半導體供應商都受到了不同程度的影響，導致被動元件、光學元件、邏輯處理器、關鍵半導體材料等供應緊張。這次大地震也引發了產業內的一片恐慌，許多上游渠道商趁機囤貨提價，導致內存、數碼相機等價格不斷飆升，最終經過3個多月后市場才趨于穩定。 半導體巨頭并購頻繁 2011年，半導體產業內發生多起并購案，金額巨大，且涉及多個產業領導企業。先有手機芯片巨頭高通以31億美元收購了WLAN芯片廠商Athoros，后有德州儀器65億美元收購了在電源管理和功率IC風光一時的國家半導體，接著又有博通以37億美元收購NetLogic，另外還有村田并購MEMS傳感器巨頭VTI、蘋果收購以色列閃存技術公司Anobit等等。為快速獲得更強市場競爭力，巨頭們紛紛走上并購整合之路，希望通過“組合拳”的威力奠定其無可撼動的優勢，半導體產業愈發呈現出“強者愈強”的格局。 英特爾在22nm工藝中導入三維晶體管，摩爾定律有望掀開新篇章 三維晶體管技術實用化是2011年半導體工藝領域最主要的創新。英特爾公司在5月發布了世界上第一個三維晶體管“Tri-Gate”，該三維晶體管的構造與Fin FET相近，在通道兩側和上部三個方向設置了柵極電極，用于輔助電流控制。英特爾聲稱22nm 3D Tri-Gate能比32nm平面晶體管帶來多達37%的性能提升，而且在同等性能下功耗減少一半。其實早在2002年英特爾就宣布了三維晶體管設計，但直至現在才真正成熟。這一突破的關鍵之處在于，英特爾可將其用于進行微處理器芯片的大批量生產，而不僅僅停留在試驗階段。看來摩爾定律也有望從此掀開新的篇章。 FPGA步入28nm時代，兩巨頭闖進MPU市場 FPGA市場在去年可謂風起云涌，先是兩大巨頭Altera與Xilinx幾乎同時發布了采用最新一代28nm工藝的FPGA工程樣片，標志著FPGA開始正式步入28nm時代，接著雙方又不約而同的在FPGA中整合雙核心ARM處理器，各自推出FPGA+ARM Cortex-A9嵌入式處理器產品，闖進通用MPU市場。Altera的做法是在其久負盛名的Cyclone V和Arria V系列下增加了SoC FPGA，而Xilinx則干脆創立一個新的產品系列Zynq。雖然產品略有不同，但都是直接針對傳統的MPU市場，向通用DSP、MPU發起挑戰。 NVIDIA推出Tegra 3，移動處理器迎來四核時代 隨著NVIDIA推出全球首款四核處理器Tegra 3，移動處理器開始迎來激動人心的四核時代。Tegra 3項目代號Kal-El(超人)，基于ARM構架移動平臺SoC技術，采用臺積電40nm工藝制造，單核最高可達1.4GHz，CPU性能最高可達Tegra 2的5倍，另外其內部集成了12核GeForce GPU，其性能是Tegra 2的3倍，并支持3D立體顯示，同時四核處理器功耗也比雙核的Tegra 2更低。此處理器號稱“已達PC級別，趕超Core 2 Duo T7200”。而隨著Tegra 3的推出，不久或許就會出現許許多多高性能四核甚至更多核的平板電腦和手機，讓我們拭目以待吧。 博通、英特爾、CSR退出電視芯片市場 進入2011年以來，英特爾、博通、CSR相繼退出了數字電視芯片市場，臺灣地區兩大數字電視芯片供應商晨星和聯發科技市場地位進一步穩固。數字電視芯片市場競爭激烈，在中低端電視市場對便宜的電視芯片需求巨大，臺灣供應商有絕對的成本優勢；在高端電視市場，三星、東芝、索尼和松下等日韓大品牌又經常使用自己內部設計的芯片解決方案，如此導致歐美供應商腹背受敵，也只好識時務為俊杰，退出電視芯片市場。 TSMC開始建設450mm晶圓生產線，縮小與英特爾之間距離 臺灣地區芯片代工廠商TSMC于2011年初宣布了高達100億美元巨額資金的新項目，將建設全新的450mm晶圓生產線。按照其計劃，該項目將會在2013年正式進入投產階段，而到2015年將會在此基礎上進行全新的20nm制造工藝研發進而很快進入量產。如果能夠按照既定的計劃完成該項目，那么它在芯片制造業的領先地位將超越三星和GlobalFoundires，而且與英特爾之間的差距將大幅度縮小，整個芯片制造業務的格局也將會發生一些微妙的變化。 高通、德州儀器等巨頭放低身段，沖擊低端市場 作為手機芯片業霸主的高通，面對局部市場競爭對手的高速增長，特別是中國芯片商超低的進入門檻和不可思議的低價格，顯然也有些坐不住了。沖著低價智能手機市場，高通2011年推出面向大眾智能手機的交鑰匙方案QRD生態系統計劃，以幫助終端公司以更低的成本和更短的時間開發出大眾市場智能手機。這也意味著巨頭放下身段，開始沖擊低端市場。與此類似的是，德州儀器也敞開大門面對普通中小用戶，該公司11月宣布推出批量售價僅5美元的基于ARM Cortex-A8的Sitara AM335x微處理器，約是國內IC廠商同類處理器的一半價格，并且他們還同時推出超低價89美元的易用型開源硬件平臺與免費軟件開發套件，令業界十分震驚。 三星啟動20nm工藝存儲芯片生產線，鞏固領頭地位 三星電子在2011年9月宣稱啟動一條全新的20nm工藝存儲芯片生產線，并稱新的生產線是全球規模最大、最先進的存儲芯片生產設施，雖然這種工藝會將生產成本提升50%左右，但卻可以在一個芯片中整合更多的電路，因此可以降低芯片面積和價格，并提升芯片的性能和能效。有業者認為該生產線的啟動有可能加劇半導體市場供應過剩的局面，并打擊規模較小的競爭對手。不過三星在閃存市場向來都是野心勃勃，鞏固自己老大的地位才最重要。 英特爾四大部門合并組建為新移動通信部門，向移動互聯市場發力 芯片制造商英特爾2011年進行了重要的架構調整，將移動通信、上網本/平板電腦、移動無線以及超移動業務部門合并組建新的移動通信部門，目的是加強該公司在智能手機和平板電腦市場的實力，轉變未來發展戰略。目前英特爾處理器在全球PC市場份額約為80%，但在快速增長的智能手機和平板電腦市場還能沒有所作為，現終于準備在移動互聯市場上發力，對競爭對手開始進行火力強勁的反撲。 國內篇 新18號文加大集成電路行業支持力度，助集成電路進入并購重組時代 2月，國務院發布了被業界稱為“新18號文”的《進一步鼓勵軟件產業和集成電路產業的若干政策》(國發(2011) 4號)。該文件進一步明確了集成電路產業的重要地位，在延續原18號文優惠政策的同時，確定了包括稅收、投融資、研發、進出口、人才、知識產權、市場等7個方面的政策措施，尤其加大了對集成電路產業的支持力度。專家認為，新“18號文”亮點之一是引導企業并購重組，迅速培養具有國際競爭力的大企業。在十二五規劃的第一年，新政策的實施無疑將為中國集成電路產業下一個十年的發展打造更為寬松的產業環境。 中國首款自主知識產權相變存儲器芯片研制成功，打破相變存儲器芯片國外壟斷局面 4月17日，中國第一款具有自主知識產權的相變存儲器(PCRAM)芯片在中國科學院上海微系統與信息技術研究所研制成功，產業化前景可觀。據介紹，相比于傳統存儲器利用電荷形式進行存儲，相變存儲器主要利用可逆相變材料晶態和非晶態的導電性差異實現存儲，被稱為是“操縱原子排列而實現存儲”的新型存儲器。目前，英特爾、美光、三星等國際知名半導體公司均在PCRAM產業化進程中取得有效進展，其中美光有多款替代NOR Flash的產品，三星已研制出最大容量為512Mb的PCRAM試驗芯片，并投入量產。 中芯國際注資10億美元，結束武漢新芯托管歷史 5月12日，中芯國際集成電路制造有限公司與湖北省科技投資集團公司在漢簽訂合資合同，兩年內中芯國際注資10億美元，與后者一起經營武漢新芯12英寸晶片生產線項目。至此，武漢新芯告別5年托管歷史，正式成為擁有“雙親”的華中地區唯一大規模集成電路芯片生產企業。2006年，湖北省、武漢市、東湖高新區三級政府出資，成立武漢新芯，建設中部地區首個12英寸集成電路晶片生產線，委托中芯國際經營管理。2008年9月，武漢新芯一期建成投產，總投資100億元，至今未盈利。國家工信部規劃司司長肖華認為，合資經營武漢新芯對于全國集成電路產業來說都是一件大事，武漢有望成為國內高端芯片生產基地。 國內最大規模IGBT產業基地開建，年產芯片12萬片 5月25日，中國南車大功率IGBT產業化基地奠基，標志著我國首條8英寸IGBT芯片生產線項目正式啟動。中國南車也成為國內唯一掌握IGBT芯片設計、芯片制造、模塊封裝、系統應用完整產業鏈的企業，填補了國內相關技術領域的空白。該建設項目總投資14億元，預計2013年正式投產。建成后，該基地將具備年產12萬片8英寸IGBT芯片和100萬只大功率IGBT器件的能力，年產值超過25億元。產品滿足軌道交通以及電動汽車、風力發電、太陽能發電、智能電網、高壓變頻、工業傳動等多個行業需求，成為我國首個完全依靠自主能力建設、設計規模最大、技術實力最強、產品型譜最全的大功率IGBT產業化基地，改變核心技術受制于人、產品依賴進口的不利局面，為建設資源節約型和環境友好型社會，促進國民經濟快速健康發展做出重要貢獻。 北京君正于創業板上市，年底發布全球首款Android 4.0平板電腦 5月31日，北京君正成功登陸創業版，成為本土又一家上市的IC設計企業。北京君正是掌握自主嵌入式CPU技術并成功市場化的極少數本土企業之一，該公司基于自主創新的XBurst CPU核心技術，面向便攜消費電子、教育電子等領域推出了一系列具有高性價比的32位嵌入式CPU芯片產品，并且為了支持CPU芯片產品的應用和推廣，同時提供運行于這些芯片之上的操作系統軟件平臺。12月，該公司與MIPS宣布共同推出全球首款Android 4.0(代號“冰淇淋三明治”)平板電腦，零售價格低于100美元，在便攜式消費產品ARM架構一家獨大的環境下，該平板電腦的推出在業界引起極大反響。 華芯建成國內首條存儲器集成電路封測生產線 12月16日，我國首條高端存儲器集成電路封裝測試生產線在濟南上線投產，華芯半導體有限公司成為國內唯一同時具備集成電路設計、研發和封測制造能力的企業。該生產線采用世界先進水平的細間距球柵陣列(FBGA)封裝工藝，是華芯繼并購奇夢達中國研發中心后，對奇夢達資產二次并購的基礎上建設而成。借助這次并購，華芯獲得了世界先進水平的高端集成電路封裝制造能力，初步建立起包括芯片設計、芯片制造和芯片應用在內的完整存儲器集成電路產業鏈，將改變我國大容量存儲器芯片長期依賴國外的局面，滿足國內日益擴大的市場需求，同時也為華芯自身在存儲器集成電路產業的持續發展提供了強有力的支撐。 該生產線采用的世界先進水平的FBGA封裝工藝是目前全球領先的集成電路封裝測試技術之一，投產后的生產線年產能達6,000萬顆高端存儲器芯片，年產值將超過1億美元。未來五年，華芯將在濟南出口加工區加快建設專業化的集成電路產業園區，規劃總投資30億元，建成世界先進水平的集成電路研發中心和規模化芯片生產基地，將有力增強中國在存儲器產業鏈自主可控能力，逐步建立起完整的集成電路產業鏈。 本土芯片廠商在TD領域不斷發力，推出多款創新方案 2011年本土芯片設計企業在TD領域取得快速發展。1月，展訊發布全球首款40nm低功耗商用TD-HSPA/TD-SCDMA多模通信芯片SC8800G，它的問世將大大降低TD-SCDMA終端價格，能與2.5G產品的價格相媲美，為靈活多樣的3G業務的承載提供更堅實的平臺，SC8800G將對智能城市、物聯網、移動互聯網、“三網合一”等領域的技術和產業發展起到積極的推動作用。4月，聯芯科技推出業界最小TD基帶芯片，包括一款TD無線modem芯片LC1711和一款低成本TD手機芯片LC1710，這兩款芯片均采用55nm工藝，芯片封裝尺寸為10mm×10mm，降低了終端成本。5月，該公司再接再厲推出首款TD-SCDMA/TD-LTE雙模基帶芯片，該款芯片最高可實現100Mbps的下載速率和50Mbps的上傳速率，將為TD-LTE終端發展的總體進程提速，也吹響了TD-SCDMA產業向TD-LTE平滑演進的號角。 2011中國大陸集成電路設計業逆風高飛，產業規模居全球第三 中國電子工業科學技術交流中心(工業和信息化部軟件與集成電路促進中心)12月發布的《2011中國集成電路設計業發展報告》顯示，2011年中國大陸地區集成電路設計業全行業銷售額預計達到686.81億元人民幣，比上一年增長25.08%，產業規模僅次于美國及中國臺灣地區，位居全球第三位。另據中國半導體行業協會集成電路設計分會統計，中國大陸目前擁有IC設計能力的企業與機構共534家。我國集成電路產業正面臨著重大的發展機遇。 本土芯片產業進入新一輪并購整合時代 產業整合并購是半導體廠商應對市場發展的一大舉措，2011年中國也出現了多起企業并購事件。6月，展訊宣布對WCDMA解決方案供應商MobilePeak的控股并購，未來將憑借WCDMA/HSPA+技術進軍全球3G和LTE 4G市場；7月，展訊再次出手，宣布收購手機電視芯片廠商泰景；8月，晶門科技900萬美元認購北京希圖視鼎24%權益；同月，上海瀾起完成對摩托羅拉杭州芯片設計部的收購，獲得其數字電視機頂盒領域多項核心技術等；9月，晶圓制造商華虹與宏力簽署了合并協議，合并之后，中國將誕生8英寸晶圓月產能達到約14萬片的代工企業，預計年銷售將達到約6億美元，年利潤達到約1億美元；12月，浪潮集團以1億元換來了奇夢達價值5億元的高端(FBGA)集成電路存儲器封裝測試生產線，這是浪潮繼2009年收購奇夢達研發中心后又一次“抄底”式收購；同月，昂寶透過子公司臺灣昂寶以每股臺幣11.43元投資微控制器廠商新茂國際科技55%股權，總計將持有新茂國際79.2%股權。 （注：本文原文刊載于《集成電路應用》2012年第1期） |
