|
來源：大半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 據(jù)鎵仁半導體官微消息，2024年7月，杭州鎵仁半導體有限公司在氧化鎵晶體生長與襯底加工技術上取得突破性進展，成功制備出3英寸晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底，為目前國際上已報導的最大尺寸，達到國際領先水平。 據(jù)悉，在氧化鎵單晶襯底常見的主流晶面中，（010）襯底在物理特性和外延方面具有出色的表現(xiàn)。首先，（010）襯底熱導率最高，有利于提升功率器件性能；第二，（010）襯底具有較快的外延生長速率；第三，基于（010）襯底制備的器件具有更優(yōu)異的性能。目前，鎵仁半導體推出晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底產(chǎn)品，該產(chǎn)品面向科研市場，滿足科研領域對(010)襯底的需求，促進業(yè)內產(chǎn)學研協(xié)同合作。 資料顯示，杭州鎵仁半導體有限公司主要從事氧化鎵等半導體單晶材料的研發(fā)與生產(chǎn)。此前聯(lián)合浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院、硅及先進半導體材料全國重點實驗室，采用楊德仁院士團隊自主開創(chuàng)的鑄造法成功制備了高質量6英寸非故意摻雜及導電型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶襯底。今年4月還推出了2英寸晶圓級(010)氧化鎵半絕緣單晶襯底，并實現(xiàn)了2英寸(010)氧化鎵單晶襯底的自主量產(chǎn)，打破了國際壟斷。 |
