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來(lái)源：大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息，今年2月，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，采用自主開(kāi)創(chuàng)的鑄造法成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶，并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片，成為國(guó)內(nèi)首個(gè)掌握6英寸氧化鎵單晶襯底制備技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。氧化鎵(β-Ga2O3) 是目前最受關(guān)注的超寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，主要用于制備功率器件、射頻器件及探測(cè)器件。 據(jù)悉，鑄造法是由楊德仁院士團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)，用于生長(zhǎng)氧化鎵單晶的新型熔體法技術(shù)。2022年5月，團(tuán)隊(duì)采用鑄造法成功生長(zhǎng)出2英寸氧化鎵單晶。隨后由杭州鎵仁半導(dǎo)體持續(xù)迭代、不斷創(chuàng)新，于2023年5月成功生長(zhǎng)出4英寸氧化鎵單晶。2024年2月就突破了6英寸氧化鎵單晶的生長(zhǎng)，并實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)。 鑄造法具有以下顯著優(yōu)勢(shì)：第一，鑄造法成本低，由于貴金屬Ir的用量及損耗相比其他方法大幅減少，成本顯著降低；第二，鑄造法簡(jiǎn)單可控，其工藝流程短、效率高、尺寸易放大；第三，鑄造法擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，中國(guó)和美國(guó)專利已授權(quán)，為突破國(guó)外技術(shù)壟斷，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化替代奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。 |
