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來源：IT之家 工商時報今天報道稱，在 SK 海力士、三星、美光三巨頭的大力推動下，2025 年高帶寬內存（HBM）芯片每月總產能為 54 萬顆，相比較 2024 年增加 27.6 萬顆，同比增長 105%。 高帶寬內存是一種基于 3D 堆棧工藝的高性能 DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應用場合，與高性能圖形處理器、網絡交換及轉發(fā)設備（如路由器、交換器）、高性能數(shù)據(jù)中心的 AI 特殊應用集成電路結合使用，可以大幅減少半導體的功率和面積。 HBM 是 AI 加速卡成本占比最高的零件，有媒體拆解英偉達 H100 芯片，物料成本約為 3000 美元（IT之家備注：當前約 21847 元人民幣），其中 SK 海力士供應的 HBM 成本就高達 2000 美元（當前約 14565 元人民幣），占比 66%。 三大巨頭現(xiàn)狀 SK 海力士和美光目前仍是 HBM 的主要供應商，兩家公司都采用 1beta 納米工藝，并已向英偉達出貨。 
集邦咨詢認為采用 1Alpha nm 工藝的三星預計將在第二季度完成認證，并于今年年中開始供貨。 三大巨頭擴產計劃 三星正在逐步升級其在韓國的平澤工廠（P1L、P2L 和 P3L），以便用于 DDR5 和 HBM。 同時，華城工廠（13/15/17 號生產線）正在升級到 1α 工藝，僅保留 1y / 1z 工藝的一小部分產能，以滿足航空航天等特殊行業(yè)的需求。 SK 海力士以南韓利川市 M16 產線生產 HBM，并著手將 M14 產線升級為 1α／1β 制程，以供應 DDR5 和 HBM 產品。 此外，無錫廠目前正積極將制程由 1y／1z 升級到 1z／1α，分別用于生產 DDR4 及 DDR5 產品。 美光 HBM 前段在日本廣島廠生產，產能預計今年第四季提升至 2.5 萬顆；長期將引入 EUV 制程（1γ、1δ），并建置全新無塵室。 |
