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來源：TrendForce集邦咨詢 三大原廠開始提高先進制程的投片，繼存儲器合約價翻揚后，公司資金投入開始增加，產能提升將集中在今年下半年，預期1alpha nm（含）以上投片至年底將占DRAM總投片比重約40%。其中，HBM由于獲利表現佳，加上需求持續看增，故生產順序最優先。但受限于良率僅約50~60%，且晶圓面積相較DRAM產品，放大逾60%，意即所占投片比重高。以各家TSV產能來看，至年底HBM將占先進制程比重35%，其余則用以生產LPDDR5(X)與DDR5產品。 以HBM最新發展進度來看，TrendForce集邦咨詢表示，今年HBM3e將是市場主流，集中在今年下半年出貨。目前SK海力士（SK hynix）依舊是主要供應商，與美光（Micron）均采用1beta nm制程，兩家業者現已正式出貨給英偉達（NVIDIA）；三星（Samsung）則采用1alpha nm制程，預期今年第二季完成驗證，于年中開始交付。 預期今年DDR5、LPDDR5(X)滲透率增加，將消耗更多先進制程產能 除了HBM需求占比持續增加，PC、服務器、智能手機三大應用單機搭載容量增長，故對于先進制程的消耗量也逐季提升，其中又以服務器的容量提升最高，主要受惠于單機搭載容量1.75TB的AI服務器所帶動。而隨著Intel、AMD新平臺Sapphire Rapids、Genoa量產后，其存儲器規格僅能采用DDR5，預期今年DDR5滲透率至年底將逾50%。 與此同時，由于HBM3e出貨將集中在今年下半年，期間同屬存儲器需求旺季，DDR5與LPDDR5(X)市場預期需求也將看增。但受到2023年虧損壓力影響，原廠產能擴張計劃也較謹慎。整體而言，在HBM投片比重擴大的情況下，將使得先進制程產出有限，下半年產能配置將是供給是否充足的關鍵。 受到HBM產能排擠，若先進制程產能擴張不足，DRAM產品恐面臨供不應求 目前新廠規劃如下，三星現有廠房2024年底產能大致滿載，新廠房P4L規劃于2025年完工，同時Line15廠區將進行制程轉換，由1Ynm轉換至1beta nm以上。SK海力士除了M16明年產能預計擴大，M15X同樣亦規劃于2025年完工，并于明年底量產。美光臺灣地區廠區將于明年恢復至滿載，后續產能擴張將以美國廠為主，Boise廠區預期于2025年完工并陸續移機，并計劃于2026年量產。 TrendForce集邦咨詢表示，盡管三大原廠的新廠將于2025年完工，但部分廠房后續的量產時程尚未有明確規劃，需依賴2024年的獲利，才得以持續擴大采購機臺，此也進一步推動三大原廠堅守存儲器價格今年漲勢。除此之外，由于NVIDIA GB200將于2025年放量，其規格為HBM3e 192/384GB，預期HBM產出將接近翻倍，且緊接各原廠將迎來HBM4研發，若投資沒有明顯擴大，因各家產能規劃皆以HBM為優先，在產能排擠的效應之下，DRAM產品恐有供應不及的可能性。 |
