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來源：EXPreview 此前有報(bào)道稱，美光將在日本廣島縣建造一座新的DRAM工廠，投資金額在6000億至8000億日元之間，計(jì)劃2026年初開工建設(shè)，目標(biāo)2027年末完成工廠主體建筑建設(shè)和第一批工具的安裝。其中將安裝極紫外（EUV）光刻設(shè)備，以1-gamma（1γ）工藝生產(chǎn)DRAM芯片。 
據(jù)TrendForce報(bào)道，美光在廣島的新工廠位于現(xiàn)有的Fab 15附近，專注于DRAM生產(chǎn)，不包括后端封裝和測試，產(chǎn)能的重點(diǎn)是HBM產(chǎn)品。未來工廠還會(huì)過渡到1-delta工藝，將增加極紫外光刻設(shè)備的數(shù)量，并升級(jí)潔凈室設(shè)施。日本政府已經(jīng)批準(zhǔn)高達(dá)1920億日元的建設(shè)補(bǔ)貼，以支持美光的廣島工廠生產(chǎn)下一代芯片，另外還會(huì)有88.7億日元的生產(chǎn)成本補(bǔ)貼和250億日元的研發(fā)成本補(bǔ)貼。 Fab 15是美光HBM產(chǎn)品的主要生產(chǎn)基地之一，負(fù)責(zé)前端晶圓生產(chǎn)和通硅孔（TSV）工藝的部分，而后端堆疊和測試工藝則由中國臺(tái)灣臺(tái)中的工廠負(fù)責(zé)。目前HBM市場增長勢頭強(qiáng)勁，但是面臨較低的良品率、更大的芯片尺寸等問題，與DDR5相比，生產(chǎn)相同位元需要大約三倍的晶圓，將擠壓傳統(tǒng)DRAM的產(chǎn)能。由于美光急需提升HBM出貨量，中國臺(tái)灣的工廠明年開始也將加入到前端晶圓生產(chǎn)和通硅孔工藝的工作中，以進(jìn)一步提升產(chǎn)能。 考慮到美光至2025年的HBM產(chǎn)能都已經(jīng)被客戶預(yù)定，建設(shè)新工廠變得勢在必行。美光希望到2025年，能占據(jù)20%至25%的HBM市場份額，力爭提高到與傳統(tǒng)DRAM相當(dāng)?shù)乃健?/td> |
