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ASML擬推出Hyper-NA EUV光刻機,芯片密度限制再縮小

發布時間:2024-6-18 10:58    發布者:eechina
關鍵詞: ASML , yper-NA , EUV , 光刻機
來源:大半導體產業網

日前,ASML前總裁兼首席技術官、現任公司顧問Martin van den Brink在imec ITF World的演講中表示:“從長遠來看,我們需要改進光刻系統,因此必須要升級 Hyper-NA。與此同時,我們必須將所有系統的生產率提高到每小時400-500片晶圓”。同時透露,ASML將在2030年左右提供Hyper-NA,達到0.75NA,以便實現更高分辨率的圖案化及更小的晶體管特征。



Imec高級圖案設計項目總監Kurt Ronse表示,這是ASML首次將Hyper-NA EUV加入其技術路線圖。現階段想要突破0.55NA,需要解決光偏振和光刻膠的挑戰。Ronse 還指出,目前的High-NA應該會持續貫穿從2nm到1.4nm、10埃米甚至7埃米的工藝節點,此后,Hyper-NA 將開始占據主導地位。

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