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來源：EXPreview 此前有報道稱，美光將在日本廣島縣建造一座新的DRAM工廠，投資金額在6000億至8000億日元之間，計劃2026年初開工建設，目標2027年末完成工廠主體建筑建設和第一批工具的安裝。其中將安裝極紫外（EUV）光刻設備，以1-gamma（1γ）工藝生產DRAM芯片。 
據TrendForce報道，美光在廣島的新工廠位于現有的Fab 15附近，專注于DRAM生產，不包括后端封裝和測試，產能的重點是HBM產品。未來工廠還會過渡到1-delta工藝，將增加極紫外光刻設備的數量，并升級潔凈室設施。日本政府已經批準高達1920億日元的建設補貼，以支持美光的廣島工廠生產下一代芯片，另外還會有88.7億日元的生產成本補貼和250億日元的研發成本補貼。 Fab 15是美光HBM產品的主要生產基地之一，負責前端晶圓生產和通硅孔（TSV）工藝的部分，而后端堆疊和測試工藝則由中國臺灣臺中的工廠負責。目前HBM市場增長勢頭強勁，但是面臨較低的良品率、更大的芯片尺寸等問題，與DDR5相比，生產相同位元需要大約三倍的晶圓，將擠壓傳統DRAM的產能。由于美光急需提升HBM出貨量，中國臺灣的工廠明年開始也將加入到前端晶圓生產和通硅孔工藝的工作中，以進一步提升產能。 考慮到美光至2025年的HBM產能都已經被客戶預定，建設新工廠變得勢在必行。美光希望到2025年，能占據20%至25%的HBM市場份額，力爭提高到與傳統DRAM相當的水平。 |
