|
來源：EXPreview 美光已開始采用1γ（1-gamma）工藝試產(chǎn)DRAM芯片，并計(jì)劃明年進(jìn)入大批量生產(chǎn)階段。直到目前為止，美光所有的存儲(chǔ)芯片都完全依賴于DUV光刻設(shè)備，反觀DRAM領(lǐng)域主要的競爭對手三星和SK海力士，都投資了更為昂貴的EUV光刻設(shè)備。美光通過標(biāo)準(zhǔn)的DUV多重曝光，在1α和1β工藝上開發(fā)出具有性能和成本競爭力的DRAM芯片，而切換到EUV技術(shù)可以進(jìn)一步提高制程節(jié)點(diǎn)的經(jīng)濟(jì)性。 
美光總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在與投資者和金融分析師的電話會(huì)議上表示，雖然美光在EUV光刻設(shè)備的使用上稍微落后于三星和SK海力士，但是加入EUV技術(shù)的1γ工藝DRAM芯片試生產(chǎn)進(jìn)展順利，有望在2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 美光對1γ工藝的DRAM芯片寄予厚望，希望能借助EUV技術(shù)構(gòu)建業(yè)界最小的DRAM單元，制造出業(yè)內(nèi)最便宜且更節(jié)能的存儲(chǔ)產(chǎn)品，這可以讓其在存儲(chǔ)芯片的競爭中獲得優(yōu)勢。目前試產(chǎn)工作正在美光位于日本廣島的工廠中進(jìn)行，作為試產(chǎn)計(jì)劃的一部分，首批采用1γ 工藝的存儲(chǔ)產(chǎn)品也會(huì)在這里制造。至于使用EUV光刻設(shè)備后對美光DRAM芯片的性能有多大影響，還有待觀察。 事實(shí)上，美光使用ASML的EUV光刻機(jī)已經(jīng)有一段時(shí)間了。美光一直測試這些工具，以EUV替代1α和1β工藝上部分使用DUV的環(huán)節(jié)，并逐步進(jìn)行調(diào)整，以提升良品率。現(xiàn)在美光已積累了足夠的經(jīng)驗(yàn)，開始準(zhǔn)備將EUV光刻機(jī)投入到大規(guī)模生產(chǎn)中。 |
