來源:EXPreview 美光已開始采用1γ(1-gamma)工藝試產DRAM芯片,并計劃明年進入大批量生產階段。直到目前為止,美光所有的存儲芯片都完全依賴于DUV光刻設備,反觀DRAM領域主要的競爭對手三星和SK海力士,都投資了更為昂貴的EUV光刻設備。美光通過標準的DUV多重曝光,在1α和1β工藝上開發出具有性能和成本競爭力的DRAM芯片,而切換到EUV技術可以進一步提高制程節點的經濟性。 美光總裁兼首席執行官Sanjay Mehrotra在與投資者和金融分析師的電話會議上表示,雖然美光在EUV光刻設備的使用上稍微落后于三星和SK海力士,但是加入EUV技術的1γ工藝DRAM芯片試生產進展順利,有望在2025年實現量產。 美光對1γ工藝的DRAM芯片寄予厚望,希望能借助EUV技術構建業界最小的DRAM單元,制造出業內最便宜且更節能的存儲產品,這可以讓其在存儲芯片的競爭中獲得優勢。目前試產工作正在美光位于日本廣島的工廠中進行,作為試產計劃的一部分,首批采用1γ 工藝的存儲產品也會在這里制造。至于使用EUV光刻設備后對美光DRAM芯片的性能有多大影響,還有待觀察。 事實上,美光使用ASML的EUV光刻機已經有一段時間了。美光一直測試這些工具,以EUV替代1α和1β工藝上部分使用DUV的環節,并逐步進行調整,以提升良品率。現在美光已積累了足夠的經驗,開始準備將EUV光刻機投入到大規模生產中。 |