無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN™ 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 封裝，它們具有低熱阻并便于光學(xué)檢查。這兩種封裝均采用經(jīng)過充分驗證的 DFN 封裝，堅固可靠。
DHDFN-9-1（雙散熱器DFN）是一種薄的雙面冷卻封裝，外形尺寸僅為10x10 mm，并采用側(cè)邊可濕焊盤技術(shù)，便于光學(xué)檢查。它具有低熱阻（Rth(JC)），可采用底部、頂部和雙側(cè)冷卻方式運行，在設(shè)計上具有靈活性。在頂部尤其是雙側(cè)冷卻配置中，性能優(yōu)于常用的TOLT封裝。DHDFN-9-1封裝采用雙極引腳設(shè)計，有助于優(yōu)化PCB布局和簡單并聯(lián)，使客戶能夠輕松處理高達(dá)6千瓦的應(yīng)用。 BHDFN-9-1（底部散熱器 DFN）是一種底部冷卻式組件，同樣采用側(cè)邊可濕焊盤技術(shù)，便于光學(xué)檢查。其熱阻為0.28 K/W，比肩或優(yōu)于其他領(lǐng)先設(shè)備。BHDFN的外形尺寸為10x10 mm，雖然比常用的 TOLL 封裝更小，但具有相似封裝布局，因此也可以使用 TOLL 封裝的 GaN 功率 IC 進(jìn)行通用布局，便于使用和評估。 NARE GABRIELYAN | CGD 產(chǎn)品市場經(jīng)理： “新型封裝是我們戰(zhàn)略的一部分，為了使客戶將我們的 ICeGaN™ 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 用于服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、逆變器/電機驅(qū)動器、微型逆變器和其他工業(yè)應(yīng)用，獲得它們帶來的更高的功率密度和效率優(yōu)勢。這些應(yīng)用不僅對設(shè)備的要求更高、同時要求設(shè)備堅固可靠、易于設(shè)計。新型封裝支持并擴展了ICeGaN™ 產(chǎn)品系列的這些固有特性。” 提高熱阻性能有以下好處：第一，在相同的RDS(on)下可以實現(xiàn)更多的功率輸出。設(shè)備在相同功率下也能以較低的溫度運行，因此需要較少的散熱，從而降低了系統(tǒng)成本。第二，更低的工作溫度也會帶來更高的可靠性和更長的壽命。最后，如果應(yīng)用需要更低的成本，設(shè)計者可以使用具有較高RDS(on)的低成本產(chǎn)品來實現(xiàn)所需的功率輸出。 采用新型封裝的 ICeGaN™ 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 封裝產(chǎn)品將于2024年6月11日至13日在德國紐倫堡舉行的 PCIM 展覽上首次公開展示。CGD的展位號為7-643。歡迎用戶蒞臨參觀和了解這些產(chǎn)品。 關(guān)于 Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices (CGD) 致力于 GaN 晶體管和 IC 的設(shè)計、開發(fā)與商業(yè)化，以實現(xiàn)能效和緊湊性的突破性飛躍。我們的使命是通過提供易于實現(xiàn)的高能效 GaN 解決方案，將創(chuàng)新融入日常生活。CGD 的 ICeGaN™ 技術(shù)經(jīng)證明適合大批量生產(chǎn)，并且 CGD 正在與制造合作伙伴和客戶攜手加快擴大規(guī)模。CGD 是一家無晶圓廠企業(yè)，孵化自劍橋大學(xué)。公司首席執(zhí)行官兼創(chuàng)始人 Giorgia Longobardi 博士和 CTO Florin Udrea 教授仍與世界知名的劍橋大學(xué)高壓微電子和傳感器研究組 (HVMS) 保持著緊密聯(lián)系。CGD 的 ICeGaN HEMT 技術(shù)背后有不斷擴充的強大知識產(chǎn)權(quán)組合做支撐，這也是公司努力創(chuàng)新的結(jié)晶。CGD 團(tuán)隊在技術(shù)和商業(yè)方面的專業(yè)知識以及在功率電子器件市場上的大量突出表現(xiàn)，為其專有技術(shù)在市場上的認(rèn)可程度奠定了堅實的基礎(chǔ)。欲了解更多信息，請訪問 https://camgandevices.com/zh/。 |
