|
來源：EXPreview 為應對用于人工智能（AI）的半導體需求的大幅度增長，SK海力士與臺積電（TSMC）簽署了諒解備忘錄（MOU），雙方就下一代HBM產品生產和加強整合HBM與邏輯層的先進封裝技術密切合作，開發第六代HBM產品，也就是HBM4。隨后SK海力士HBM先進技術團隊負責人確認，將加快HBM代際更迭周期，從HBM3E開始，由以往的兩年變成了一年，HBM4E最早會在2026年出現。 據Wccftech報道，為了將HBM4E的性能提升到一個新的水平，SK海力士計劃推出一種能夠實現計算、緩存和網絡內存等多種功能的HBM類型。現階段這只是一個概念，為了實現這一目標，SK海力士已開始著手半導體設計工作，比如打算將存儲控制器安裝在HBM結構的基礎芯片上。 SK海力士希望通過新計劃，為多用途HBM解決方案奠定基礎。雖然暫時無法判斷這種偏離業界傳統的做法會對高性能計算市場產生多大影響，但是性能提升基本是可以確定的。這與HBM技術的封裝結構有很大關系，由于采用單一的單元，不僅可以確保更快的信號傳輸速度，而且結構間隙將大大減少，從而提升功率效率。 現在的HBM市場比以往任何時候都要激烈，SK海力士面臨著更大的競爭壓力。與臺積電的結盟大大增強了SK海力士在HBM產品上的開發實力，最大限度地確保領先于三星和美光等競爭對手，并推動著HBM產業的持續創新。 |
