[供求] TPS72015QDRVRQ1【低壓差線性穩壓器】，STL8DN6LF6AG【MOSFET 晶體管】FDBL86210-F085

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TPS72015QDRVRQ1 是一款雙軌、350mA、超低 VIN、射頻低壓差線性穩壓器，帶 BIAS 引腳。它具有出色的交流性能（PSRR、負載和線路瞬態響應），靜態電流消耗極低，僅為 38 μA。
型號：TPS72015QDRVRQ1
封裝：WSON-6
類型：低壓差線性穩壓器
產品特征：
輸入電壓范圍： 1.1 V 至 4.5 V
輸出電壓范圍：0.9 V 至 3.6 V 0.9 V 至 3.6 V
高性能 LDO：350 mA
低靜態電流：38 μA
快速啟動時間：140 μs
低壓差：ILOAD = 350 mA 時為 110 mV
使用 2.2-μF 輸出電容器時保持穩定
出色的負載瞬態響應： ILOAD = 0 mA 至 350 mA 時為 ±15 mV，耗時 1μs

STL8DN6LF6AG - 采用 PowerFLAT™ (5x6) 封裝的 60V、27mOhm 汽車級雙 N 通道 MOSFET 晶體管。
型號：STL8DN6LF6AG
封裝：PowerFlat™（5x6）
類型：MOSFET 晶體管
產品屬性：
配置：2 N-通道（雙）
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：32A（Tc）
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：27 毫歐 @ 9.6A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型

FDBL86210-F085 是150V、169A N通道功率 MOSFET 晶體管，采用 H−SOF8L 封裝。
型號：FDBL86210-F085
封裝：H−SOF8L
類型：MOSFET 晶體管
產品屬性：
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：150 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：169A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：6.3 毫歐 @ 80A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：90 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：5805 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）：500W（Tj）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型

深圳市明佳達電子，星際金華長期（供應及回收）原裝庫存器件！
【元器件】TPS72015QDRVRQ1【低壓差線性穩壓器】，STL8DN6LF6AG【MOSFET 晶體管】FDBL86210-F085（供應，回收）
【供應】只做原裝，庫存器件，價格方面由于浮動不一，請以當天詢問為準！
【回收】只需原裝庫存器件，須有原廠外包裝標簽，有庫存的朋友，歡迎隨時聯絡我們！