[供求] TPS72015QDRVRQ1【低壓差線性穩(wěn)壓器】，STL8DN6LF6AG【MOSFET 晶體管】FDBL86210-F085

Mingjiada

TPS72015QDRVRQ1 是一款雙軌、350mA、超低 VIN、射頻低壓差線性穩(wěn)壓器，帶 BIAS 引腳。它具有出色的交流性能（PSRR、負(fù)載和線路瞬態(tài)響應(yīng)），靜態(tài)電流消耗極低，僅為 38 μA。
型號(hào)：TPS72015QDRVRQ1
封裝：WSON-6
類型：低壓差線性穩(wěn)壓器
產(chǎn)品特征：
輸入電壓范圍： 1.1 V 至 4.5 V
輸出電壓范圍：0.9 V 至 3.6 V 0.9 V 至 3.6 V
高性能 LDO：350 mA
低靜態(tài)電流：38 μA
快速啟動(dòng)時(shí)間：140 μs
低壓差：ILOAD = 350 mA 時(shí)為 110 mV
使用 2.2-μF 輸出電容器時(shí)保持穩(wěn)定
出色的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)： ILOAD = 0 mA 至 350 mA 時(shí)為 ±15 mV，耗時(shí) 1μs

STL8DN6LF6AG - 采用 PowerFLAT™ (5x6) 封裝的 60V、27mOhm 汽車級(jí)雙 N 通道 MOSFET 晶體管。
型號(hào)：STL8DN6LF6AG
封裝：PowerFlat™（5x6）
類型：MOSFET 晶體管
產(chǎn)品屬性：
配置：2 N-通道（雙）
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：32A（Tc）
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：27 毫歐 @ 9.6A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型

FDBL86210-F085 是150V、169A N通道功率 MOSFET 晶體管，采用 H−SOF8L 封裝。
型號(hào)：FDBL86210-F085
封裝：H−SOF8L
類型：MOSFET 晶體管
產(chǎn)品屬性：
FET 類型：N 通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：150 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：169A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：6.3 毫歐 @ 80A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：90 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：5805 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）：500W（Tj）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型

深圳市明佳達(dá)電子，星際金華長(zhǎng)期（供應(yīng)及回收）原裝庫(kù)存器件！
【元器件】TPS72015QDRVRQ1【低壓差線性穩(wěn)壓器】，STL8DN6LF6AG【MOSFET 晶體管】FDBL86210-F085（供應(yīng)，回收）
【供應(yīng)】只做原裝，庫(kù)存器件，價(jià)格方面由于浮動(dòng)不一，請(qǐng)以當(dāng)天詢問為準(zhǔn)！
【回收】只需原裝庫(kù)存器件，須有原廠外包裝標(biāo)簽，有庫(kù)存的朋友，歡迎隨時(shí)聯(lián)絡(luò)我們！