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3.3 kV碳化硅MOS業(yè)界領(lǐng)先的國(guó)產(chǎn)（SiC）功率器件，實(shí)現(xiàn)更高的效率與可靠性。 300V碳化硅MOS器件承受更高的擊穿電壓，有更低的電阻率，工作溫度更高。更能勝任在特別需要更高耐壓以及雪崩等級(jí)的工業(yè)領(lǐng)域的設(shè)計(jì)要求,對(duì)要求高頻的應(yīng)用更是不二選擇。牽引功率單元（TPU）、輔助動(dòng)力裝置（APU）、固態(tài)變壓器（SST）、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和能源基礎(chǔ)設(shè)施解決方案的系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員需要借助高壓開關(guān)技術(shù)來提高效率和可靠性，并減小系統(tǒng)尺寸和重量。 
產(chǎn)品特性： 1. 第三代 SiC MOSFET 技術(shù) 2. 推薦 +18V/-3 -5 V 柵壓驅(qū)動(dòng) 3. 高阻塞電壓與低RDS（打開） 4. 高速、寄生電容小 5. 175℃工作結(jié)溫 6. 低速高速切換電容 7.開爾文源TO-247-4L SiC MOSFET作為第三代功率半導(dǎo)體器件，以其阻斷電壓高、工作頻率高，耐高溫能力強(qiáng)、通態(tài)電阻低和開關(guān)損耗小等特點(diǎn)成為當(dāng)前最具市場(chǎng)前景的半導(dǎo)體產(chǎn)品之一，正廣泛應(yīng)用于新能源汽車，光伏逆變器，儲(chǔ)能電源，軌道交通、牽引變頻器，航空航天，大功率特種電源等領(lǐng)域。 新技術(shù)和新產(chǎn)品: 低開啟電壓（15V、12V） 超高耐壓截止環(huán)技術(shù)（6500伏+） 平面柵垂直結(jié)構(gòu) 雙面鍍金工藝、溝槽柵工藝 為電氣化交通、可再生能源、航空航天和工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員開發(fā)更小、更輕和更高效的解決方案提供了便利 
ASC20N3300MT4 (2).pdf
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ASC60N3300MT4(2).pdf
(1.71 MB)
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| 3.3 kV碳化硅MOS |
| 碳化硅MOS電壓650V~1200V~1700V~3300V更高至6500V，單管電流1A-200A（國(guó)產(chǎn)晶圓/SiC模塊） - 知乎 https://zhuanlan.zhihu.com/p/697102981 |
碳化硅MOS柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)參考https://pan.baidu.com/s/1OXJIh0nl_c9RP1CAmQBLQQ提取碼9i63  |
| 3.3 kV碳化硅MOS業(yè)界領(lǐng)先的國(guó)產(chǎn)（SiC）功率器件，實(shí)現(xiàn)更高的效率與可靠性。 |
3.3 kV碳化硅MOS業(yè)界領(lǐng)先的國(guó)產(chǎn)（SiC）功率器件 |
