|
3.3 kV碳化硅MOS業界領先的國產（SiC）功率器件，實現更高的效率與可靠性。 300V碳化硅MOS器件承受更高的擊穿電壓，有更低的電阻率，工作溫度更高。更能勝任在特別需要更高耐壓以及雪崩等級的工業領域的設計要求,對要求高頻的應用更是不二選擇。牽引功率單元（TPU）、輔助動力裝置（APU）、固態變壓器（SST）、工業電機驅動和能源基礎設施解決方案的系統設計人員需要借助高壓開關技術來提高效率和可靠性，并減小系統尺寸和重量。 
產品特性： 1. 第三代 SiC MOSFET 技術 2. 推薦 +18V/-3 -5 V 柵壓驅動 3. 高阻塞電壓與低RDS（打開） 4. 高速、寄生電容小 5. 175℃工作結溫 6. 低速高速切換電容 7.開爾文源TO-247-4L SiC MOSFET作為第三代功率半導體器件，以其阻斷電壓高、工作頻率高，耐高溫能力強、通態電阻低和開關損耗小等特點成為當前最具市場前景的半導體產品之一，正廣泛應用于新能源汽車，光伏逆變器，儲能電源，軌道交通、牽引變頻器，航空航天，大功率特種電源等領域。 新技術和新產品: 低開啟電壓（15V、12V） 超高耐壓截止環技術（6500伏+） 平面柵垂直結構 雙面鍍金工藝、溝槽柵工藝 為電氣化交通、可再生能源、航空航天和工業應用的設計人員開發更小、更輕和更高效的解決方案提供了便利 
ASC20N3300MT4 (2).pdf
(1.6 MB)
ASC60N3300MT4(2).pdf
(1.71 MB)
|
| 3.3 kV碳化硅MOS |
| 碳化硅MOS電壓650V~1200V~1700V~3300V更高至6500V，單管電流1A-200A（國產晶圓/SiC模塊） - 知乎 https://zhuanlan.zhihu.com/p/697102981 |
碳化硅MOS柵極驅動設計參考https://pan.baidu.com/s/1OXJIh0nl_c9RP1CAmQBLQQ提取碼9i63  |
| 3.3 kV碳化硅MOS業界領先的國產（SiC）功率器件，實現更高的效率與可靠性。 |
3.3 kV碳化硅MOS業界領先的國產（SiC）功率器件 |
| 碳化硅MOS驅動設計及SiC柵極驅動器示例 - http://m.qingdxww.cn/thread-838162-1-1.html |
| 碳化硅MOS驅動設計- http://m.qingdxww.cn/thread-838162-1-1.html |
