碳化硅（SiC）MOSFET 的使用促使了多個應用的高效率電力輸送，比如電動車快速充電、電源、可再生能源以及電網基礎設施。雖然它們的表現比傳統的硅（Si）MOSFET 和 IGBT 更為出色，但驅動方式卻不盡相同，必須要在設計過程中進行縝密的思考。 SiC MOS驅動原理圖：
SiC MOSFET器件特性與驅動電路設計-南京航空航天大學秦海鴻 (2024-深圳).pdf
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驅動供電電壓包含開通的正壓和關斷的負壓 2:共模瞬態抗擾度（CMTI）大于 100 kV/μs 3：最大工作絕緣電壓可達 1700 V 4：驅動能力可達 10 A 5：傳輸延遲時間和頻道不匹配時間小于 10 ns 6：主動米勒鉗位 7：快速短路保護（SCP）（小于 1.8 μs） 對于 SiC MOSFET 的一般驅動考慮隨著系統功率和頻率增加，柵極驅動功率要求也會提高。設計人員應確保驅動器具備足夠的驅動能力保證 MOSFET 完全導通。保持柵極驅動器內部 FET RDS(on) 處于低位以及更高的電流輸送和更快的開關速度，但是總驅動平均功率要求取決于開關頻率、總柵極電荷（以及任何其置于柵極上的電容）、柵極電壓擺動以及并聯 SiC MOSFET 的數量或 P =（Freq x Qg x Vgs(total) x N）。其中 P 是平均功率，Freq 是開關頻率，Qg 是總柵極電荷，Vgs(total) 是總柵極電壓擺動，N 是并聯數量。鑒于這些要求，需要考慮幾個柵極驅動器技術。磁耦合驅動器是一個相對成熟的技術，但是在磁場應用中也會成為一個令人關切的問題。電容耦合驅動器具備來自高電壓應力和改進后對外部磁場抗擾度的出色保護，同時以最低的延遲提供非常迅捷的開關。但是，這項技術仍然容易受高電場應用問題的影響。作為更為傳統的絕緣方式、光耦合非常有效并可提供出色的瞬變和噪音保護，但是由于曝光增加和 LED 特性，隨著時間推進會逐漸減弱。開關時往往存在振蕩和過沖，正如圖 1 當中所示的那樣，所以需要特別關注器件的最大 VGS 額定值。對于開通/關斷時的驅動電源電壓選擇，推薦（18V, - 3 V）以確保安全運行和長期可靠性。驅動電壓可以接受 ± 5% 的公差。對于帶有相對緊湊反饋控制的或帶有線性穩壓的輔助電源，± 5% 甚至 ± 2% 的公差是可以實現的。
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| SiC柵極驅動器示例 好好好 |
| 碳化硅MOS（SiC MOSFET）特性 - http://m.qingdxww.cn/thread-841262-1-1.html |
| 碳化硅MOS管國產從650V-1200V-1700V-3300V，后續推出6500V。 電子工程網 http://m.qingdxww.cn/thread-826808-1-1.html |
| 柵極驅動器原理圖 頂起 |
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| 碳化硅MOS管國產從650V-1200V-1700V-3300V，后續推出6500V。 - 無源器件/分立半導體 - 電子工程網 http://m.qingdxww.cn/thread-826808-1-1.html |
