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來源：EXPreview 在進(jìn)入人工智能（AI）時代后，兩大存儲器生產(chǎn)廠商三星和SK海力士的競爭不斷升級。雙方都在努力通過加快新產(chǎn)品的開發(fā)和批量生產(chǎn)，以搶奪市場先機(jī)，爭奪下一代人工智能半導(dǎo)體市場的主導(dǎo)權(quán)。隨著英特爾的加入，全球半導(dǎo)體戰(zhàn)線正在擴(kuò)大。 據(jù)Business Korea報道，近期三星和SK海力士都公布了下一代半導(dǎo)體計劃，問題的關(guān)鍵是：誰能首先將新產(chǎn)品推向市場？要知道SK海力士因?yàn)樵贖BM3上搶得先手，去年幾乎壟斷了英偉達(dá)HBM3訂單，在存儲器市場低迷時期以最快的速度扭轉(zhuǎn)了頹勢。 今年1月，SK海力士開始量產(chǎn)第五代HBM產(chǎn)品，也就是8層堆疊的HBM3E，使其在競爭中處于優(yōu)勢位置。三星則計劃今年上半年，帶來8層堆疊的HBM3E。不過三星在12層堆疊的HBM3E上扳回一城，于今年2月率先宣布開發(fā)成功，暫時處于領(lǐng)先位置，并計劃今年晚些時候量產(chǎn)，并開始向英偉達(dá)供貨。反觀SK海力士，目前其12層堆疊的HBM3E剛剛向英偉達(dá)交付樣品，比起三星稍微落后了一些。 至于第六代HBM產(chǎn)品，即HBM4，三星和SK海力士的競爭就更激烈了。三星的HBM4計劃明年亮相，2026年開始進(jìn)入批量生產(chǎn)，將提供8/12/16層堆疊的產(chǎn)品。SK海力士同樣計劃在2026年實(shí)現(xiàn)HBM4的批量生產(chǎn)，為此還與臺積電（TSMC）展開合作，利用全球第一晶圓代工廠的先進(jìn)技術(shù)。當(dāng)然，三星也有自己的優(yōu)勢，是唯一擁有完整生產(chǎn)、代工、封裝流程的半導(dǎo)體企業(yè)，具備為客戶提供可定制化HBM解決方案的能力。 三星和SK海力士的競爭還擴(kuò)展到了DRAM領(lǐng)域，前者近期推出了速率為10.7 Gbps的LPDDR5X，超過了SK海力士去年速率為9.6 Gbps的LPDDR5T。三星還計劃今年底量產(chǎn)第六代10nm級別的DRAM，明年生產(chǎn)第七代10nm級別的DRAM。SK海力士則計劃在今年第三季度量產(chǎn)第六代10nm級別的DRAM，比三星要更早一些。去年SK海力士憑借更先進(jìn)的工藝，以及更早取得英特爾新平臺的驗(yàn)證，通過新款DDR5內(nèi)存獲得不少收益。 此外，隨著人工智能應(yīng)用的擴(kuò)大，在存儲器上加入計算功能也是未來的發(fā)展方向之一，此前三星和SK海力士都已展示過相關(guān)的產(chǎn)品。 |
