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來源：EXPreview 在進入人工智能（AI）時代后，兩大存儲器生產廠商三星和SK海力士的競爭不斷升級。雙方都在努力通過加快新產品的開發和批量生產，以搶奪市場先機，爭奪下一代人工智能半導體市場的主導權。隨著英特爾的加入，全球半導體戰線正在擴大。 據Business Korea報道，近期三星和SK海力士都公布了下一代半導體計劃，問題的關鍵是：誰能首先將新產品推向市場？要知道SK海力士因為在HBM3上搶得先手，去年幾乎壟斷了英偉達HBM3訂單，在存儲器市場低迷時期以最快的速度扭轉了頹勢。 今年1月，SK海力士開始量產第五代HBM產品，也就是8層堆疊的HBM3E，使其在競爭中處于優勢位置。三星則計劃今年上半年，帶來8層堆疊的HBM3E。不過三星在12層堆疊的HBM3E上扳回一城，于今年2月率先宣布開發成功，暫時處于領先位置，并計劃今年晚些時候量產，并開始向英偉達供貨。反觀SK海力士，目前其12層堆疊的HBM3E剛剛向英偉達交付樣品，比起三星稍微落后了一些。 至于第六代HBM產品，即HBM4，三星和SK海力士的競爭就更激烈了。三星的HBM4計劃明年亮相，2026年開始進入批量生產，將提供8/12/16層堆疊的產品。SK海力士同樣計劃在2026年實現HBM4的批量生產，為此還與臺積電（TSMC）展開合作，利用全球第一晶圓代工廠的先進技術。當然，三星也有自己的優勢，是唯一擁有完整生產、代工、封裝流程的半導體企業，具備為客戶提供可定制化HBM解決方案的能力。 三星和SK海力士的競爭還擴展到了DRAM領域，前者近期推出了速率為10.7 Gbps的LPDDR5X，超過了SK海力士去年速率為9.6 Gbps的LPDDR5T。三星還計劃今年底量產第六代10nm級別的DRAM，明年生產第七代10nm級別的DRAM。SK海力士則計劃在今年第三季度量產第六代10nm級別的DRAM，比三星要更早一些。去年SK海力士憑借更先進的工藝，以及更早取得英特爾新平臺的驗證，通過新款DDR5內存獲得不少收益。 此外，隨著人工智能應用的擴大，在存儲器上加入計算功能也是未來的發展方向之一，此前三星和SK海力士都已展示過相關的產品。 |
