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集邦:2012年DRAM市場發(fā)展有重大變革

發(fā)布時間:2012-1-17 17:24    發(fā)布者:nansaudi
關鍵詞: DRAM
根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門 DRAMeXchange 的調(diào)查, 2012年1月上旬 DRAM 合約價仍以持平價位開出, DDR3 4GB均價固守16.5美元, DDR3 2GB均價則維持在9.25美元,但整體成交量已從低價區(qū)漸漸轉(zhuǎn)向平均價格移動。

除了減產(chǎn)效應于第一季正式發(fā)酵,目前合約價格仍屬歷史低價,部份 PC OEM 廠已緩步拉高庫存水位,并開始接受較高價格的合約價;加上硬碟短缺問題在第一季陸續(xù)獲得紓解,PC出貨將在2月后將回復正常。集邦科技認為,只要DRAM廠不要因短期顆粒價格上漲而貿(mào)進將產(chǎn)能恢復,預估今年DRAM價格在2月后起漲可能性高。


在現(xiàn)貨市場方面,雖然 DDR3 2Gb現(xiàn)貨價格自 2011年12月初0.72美元起漲至今來到0.97美元,不光顆粒價格逼近金1美元價位,漲幅亦高達35%,但現(xiàn)貨市場規(guī)模逐漸萎縮卻是不爭的事實,其中不外乎筆電已搭載足量的記憶體,近幾年升級市場的衰退亦是其中主因,現(xiàn)貨市場產(chǎn)值從早期2004年約囊括整體 DRAM 市場的50%,大幅衰退至2011年的15%左右。平心而論,現(xiàn)貨價格對于DRAM市場仍具影響力,對于合約價格上漲也有一定助力。


綜觀整體DRAM市場的獲利關鍵,幾乎都是來自于產(chǎn)能的擴充與制程不斷的再精進,集邦科技表示,從早期的90nm、65nm制程至今已來到30nm、甚至20nm制程,制程的微縮雖使成本持續(xù)下降,但同時伴隨著是顆粒數(shù)的高成長,加上近年PC出貨年成長大幅趨緩,記憶體搭載容量亦失成長動能,DRAM產(chǎn)業(yè)因需求力道不再強勁,獲利難度越來越高。


集邦科技預估,2012年DRAM市場的發(fā)展將會產(chǎn)生重大的變革;首先,DRAM產(chǎn)能的擴充將漸趨理性,加上轉(zhuǎn)進20nm難度極高、且需要高額的資本支出購買 EUV 等先進機臺,即使龍頭三星半導體(Samsung)亦不得不在制程精進上放慢腳步。因此集邦科技預估,今年整體DRAM的年供給位元成長率僅有22%,較前數(shù)年動輒50%的年成長已大幅趨緩。


不幸的是,供給位元的減緩并不足以代表整體DRAM產(chǎn)業(yè)供過于求的頹勢獲得即時紓解,而是代表各DRAM廠獲利的關鍵必須轉(zhuǎn)向核心技術開發(fā)能力再作競爭,例如隨著智慧型手機與平板電腦的興起,帶動行動式記憶體的需求,如已在2011年第四季成為行動式記憶體出貨主流LPDDR2,或者是2012下半年即將量產(chǎn)的LPDDR3,甚至是Wide-IO與LPDDR4,能夠擁有核心技術的DRAM廠便是獲利贏家。


同時,云端需求的興起亦使原本深耕于伺服器記憶體的DRAM廠獲益,DDR3的4Gb-Mono顆粒成為另一個獲利指標。集邦科技表示,甚至在標準型DRAM上,今年亦有許多產(chǎn)品以DDR3為基礎上再進化,如著眼于 Ultrabook 的興起,為了精進省電效能以延長使用時效,廠商已開發(fā)出低電壓版的DDR3L,在省電機制的強化上亦發(fā)展出DDR3M的產(chǎn)品,甚至有廠商有考慮將GDDR導入標準型記憶體中,在繪圖上與游戲上可以有比標準型記憶體更佳的表現(xiàn)。


集邦科技預期, DRAM 廠在后續(xù)的獲利競賽仍有一番激烈競逐,落后者勢必逐漸將產(chǎn)能退出,唯擁有核心技術力的DRAM廠才有機會在后續(xù)市場中持續(xù)獲利與生存。
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