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SI2305CDS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應用分析

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發表于 2023-11-23 17:34:13 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
關鍵詞: SI2305CDS-T1-GE3 , MOS管 , MOS , mosfet , vbsemi
SI2305CDS-T1-GE3 (VB2290)參數說明:P溝道,-20V,-4A,導通電阻57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V),閾值電壓-0.81V,封裝:SOT23。
應用簡介:SI2305CDS-T1-GE3適用于低功率開關和電流控制等領域。
其低導通電阻和小封裝使其在緊湊場景中表現出色。
適用領域與模塊:適用于低功率開關、電流控制和模擬開關等領域模塊,特別適合緊湊型應用的場景。


VB2290.png (120.36 KB)

VB2290.png

SI2305CDS-T1-GE3.pdf

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