器件：5CEBA4F17I7N，5M160ZM100C5N，AUIRF5210STRL，SCTWA90N65G2V（規(guī)格信息）

Mingjiada

元器件：5CEBA4F17I7N，5M160ZM100C5N，AUIRF5210STRL，SCTWA90N65G2V（明佳達(dá)電子，星際金華供應(yīng)及回收原裝庫(kù)存器件）
【供應(yīng)】只做原裝，庫(kù)存器件，價(jià)格方面由于浮動(dòng)不一，請(qǐng)以當(dāng)天詢問(wèn)為準(zhǔn)！
【回收】只需原裝器件，須有原廠外包裝標(biāo)簽，有庫(kù)存的朋友，歡迎隨時(shí)聯(lián)絡(luò)我們！


5CEBA4F17I7N：嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列）
LAB/CLB 數(shù)：18480
邏輯元件/單元數(shù)：49000
總 RAM 位數(shù)：3464192
I/O 數(shù)：128
電壓 - 供電：1.07V ~ 1.13V
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 100°C（TJ）
封裝/外殼：256-LBGA
供應(yīng)商器件封裝256-FBGA（17x17）


5M160ZM100C5N：嵌入式 - CPLD（復(fù)雜可編程邏輯器件）
可編程類型：系統(tǒng)內(nèi)可編程
延遲時(shí)間 tpd(1) 最大值：7.5 ns
供電電壓 - 內(nèi)部：1.71V ~ 1.89V
邏輯元件/塊數(shù)：160
宏單元數(shù)：128
I/O 數(shù)：79
工作溫度：0°C ~ 85°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：100-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝：100-MBGA（6x6）


AUIRF5210STRL：表面貼裝型 P通道晶體管 100 V 38A
FET 類型：P 通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：100 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：38A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：60 毫歐 @ 38A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：230 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：2780 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），170W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：D2PAK
封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB


SCTWA90N65G2V：通孔 N通道晶體管 650V 119A（Tc） 565W（Tc） TO-247 長(zhǎng)引線
FET 類型：N 通道
技術(shù)：SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）：650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：119A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：24 毫歐 @ 50A，18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：157 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+22V，-10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：3380 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：565W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 200°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：TO-247 長(zhǎng)引線

深圳市明佳達(dá)電子（星際金華）供求原裝庫(kù)存器件 5CEBA4F17I7N，5M160ZM100C5N，AUIRF5210STRL，SCTWA90N65G2V，有興趣的朋友，歡迎隨時(shí)聯(lián)絡(luò)我們！