（供求）MT25QL01GBBB8ESF-0AAT，MT25QU128ABA8E12-0SIT，SCTWA90N65G2V，SCTH90N65G2V-7（元器件）

Mingjiada

一、MT25QL01GBBB8ESF-0AAT：FLASH - NOR 存儲器 IC 1Gbit SPI 133 MHz
存儲器類型：非易失
存儲器格式：閃存
技術：FLASH - NOR
存儲容量：1Gbit
存儲器組織：128M x 8
存儲器接口：SPI
時鐘頻率：133 MHz
寫周期時間 - 字，頁：8ms, 2.8ms
電壓 - 供電：2.7V ~ 3.6V
工作溫度：-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：16-SOIC (0.295", 7.50mm 寬)

二、MT25QU128ABA8E12-0SIT：FLASH - NOR 存儲器 IC 128Mbit SPI 133 MHz 24-TBGA (6x8)
存儲器類型：非易失
存儲器格式：閃存
技術：FLASH - NOR
存儲容量：128Mbit
存儲器組織：16M x 8
存儲器接口：SPI
時鐘頻率：133 MHz
寫周期時間 - 字，頁：8ms, 2.8ms
電壓 - 供電：1.7V ~ 2V
工作溫度：-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：24-TBGA
供應商器件封裝：24-TBGA (6x8)

三、SCTWA90N65G2V：通孔 N 通道 650V 119A（Tc） 565W（Tc） TO-247
FET 類型：N 通道
技術：SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）：650 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：119A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：24 毫歐 @ 50A，18V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：157 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+22V，-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3380 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：565W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 200°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應商器件封裝：TO-247 長引線
封裝/外殼：TO-247-3

四、SCTH90N65G2V-7：表面貼裝型 N 通道 650V 116A（Tc） 330W（Tc） H2PAK-7
FET 類型：N 通道
技術：SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）：650 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：90A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：26 毫歐 @ 50A，18V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：157 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+22V，-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3300 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：330W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：H2PAK-7，TO-263-8

深圳市明佳達電子，星際金華長期（供應及回收）原裝庫存器件！
（元器件）MT25QL01GBBB8ESF-0AAT，MT25QU128ABA8E12-0SIT，SCTWA90N65G2V，SCTH90N65G2V-7（供求）
【供應】只做原裝，庫存器件，價格方面由于浮動不一，請以當天詢問為準！
【回收】只需原裝器件，須有原廠外包裝標簽，有庫存的朋友，歡迎隨時聯絡我們！