|
來(lái)源：全球半導(dǎo)體觀察 當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月15日，德國(guó)功率半導(dǎo)體大廠英飛凌公布2023財(cái)年第四季度及全年財(cái)報(bào)（截至2023年9月30日）。受益于電動(dòng)汽車、可再生能源發(fā)電和能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域的增長(zhǎng)，該公司全年?duì)I收超千億元，優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期。 根據(jù)數(shù)據(jù)，英飛凌2023財(cái)年第四季度營(yíng)收為41.49億歐元（折合人民幣約326億元），利潤(rùn)達(dá)10.44億歐元（折合人民幣約82億元），利潤(rùn)率為25.2%。2023財(cái)年英飛凌營(yíng)收為163.09億歐元（折合人民幣約1282億元），同比增長(zhǎng)15%；利潤(rùn)達(dá)43.99億歐元（折合人民幣約346億元），同比增長(zhǎng)30%；利潤(rùn)率為27%。 從業(yè)務(wù)上看，英飛凌汽車電子事業(yè)部（ATV）貢獻(xiàn)了21.6億歐元，較去年同期成長(zhǎng)12%，是其最大的營(yíng)收來(lái)源。 
展望2024財(cái)年第一季度，假設(shè)歐元兌美元匯率為1:1.05，英飛凌預(yù)計(jì)營(yíng)收約38億歐元（折合人民幣約299億元）。在此基礎(chǔ)上，利潤(rùn)率預(yù)計(jì)將達(dá)到22%左右。 展望2024財(cái)年，假設(shè)歐元兌美元匯率為1:1.05，英飛凌預(yù)計(jì)營(yíng)收約為165億-175億歐元（折合人民幣約1297億-1376億元），如果營(yíng)收為預(yù)測(cè)區(qū)間的中點(diǎn)，則利潤(rùn)率約為24%，調(diào)整后毛利率約為45%。英飛凌認(rèn)為，預(yù)估2024財(cái)年?duì)I收成長(zhǎng)呈現(xiàn)放緩，主要因個(gè)人電腦（PC）及智能手機(jī)客戶需求仍弱。 英飛凌表示，2024財(cái)年預(yù)計(jì)投資額將達(dá)到33億歐元（折合人民幣約260億元）。考慮到前段晶圓廠房主要投資及收購(gòu)GaN Systems公司，調(diào)整后的自由現(xiàn)金流約為22億歐元（折合人民幣約173億元），所報(bào)自由現(xiàn)金流約為4億歐元（折合人民幣約31億元）。 英飛凌預(yù)計(jì)2024財(cái)年的營(yíng)收將持續(xù)增長(zhǎng)，但增速將有所放緩，公司正在對(duì)市場(chǎng)形勢(shì)做出迅速反應(yīng)。同時(shí)，公司將繼續(xù)堅(jiān)持實(shí)施戰(zhàn)略，把握結(jié)構(gòu)性增長(zhǎng)機(jī)會(huì)，并通過(guò)長(zhǎng)期投資進(jìn)一步鞏固其在全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。 加強(qiáng)三代半業(yè)務(wù)布局 作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商，今年來(lái)，英飛凌持續(xù)加強(qiáng)對(duì)第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)布局，特別是碳化硅、氮化鎵第三代半導(dǎo)體兩大代表領(lǐng)域。 收購(gòu)上，除了上面提到的GaN Systems公司，英飛凌還收購(gòu)了瑞典初創(chuàng)企業(yè)Imagimob，擴(kuò)充其AI產(chǎn)品陣容。合作上，英飛凌與多家企業(yè)簽訂了長(zhǎng)期供貨協(xié)議，包括天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等中國(guó)本土碳化硅襯底制造商。今年5月，英飛凌與天岳先進(jìn)和天科合達(dá)簽署了合同，達(dá)成了150毫米碳化硅晶圓和晶錠供應(yīng)協(xié)議，預(yù)計(jì)這兩家本土廠商的供應(yīng)量將分別占到英飛凌長(zhǎng)期需求量的兩位數(shù)份額，同時(shí)也將助力英飛凌向200毫米直徑碳化硅晶圓的過(guò)渡。 產(chǎn)能上，英飛凌計(jì)劃在馬來(lái)西亞工廠進(jìn)行第二期擴(kuò)建，建設(shè)全球最大的200毫米碳化硅半導(dǎo)體晶圓工廠，第二期擴(kuò)建項(xiàng)目預(yù)計(jì)將于2027年投入運(yùn)營(yíng)。英飛凌還計(jì)劃在全球碳化硅市場(chǎng)占據(jù)更大份額，到2030年底公司在全球碳化硅市場(chǎng)中的份額占比將提高到30%。此外，在IGBT和MOSFET領(lǐng)域，英飛凌的無(wú)錫工廠和德國(guó)德累斯頓工廠也已開(kāi)始擴(kuò)產(chǎn)。 看好第三代半導(dǎo)體整體市場(chǎng)增長(zhǎng) 英飛凌表示，在目標(biāo)市場(chǎng)中看到了不同的發(fā)展趨勢(shì)，可再生能源、電動(dòng)汽車（尤其是在中國(guó)）和汽車行業(yè)微控制器領(lǐng)域的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)性增長(zhǎng)勢(shì)頭依然不減，而消費(fèi)品、通信、計(jì)算和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用需求則處于短暫的低迷期。 近期，英飛凌科技全球高級(jí)副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技大中華區(qū)電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部負(fù)責(zé)人潘大偉在2023大中華區(qū)生態(tài)創(chuàng)新峰會(huì)（OktoberTech™）上表示，看好第三代半導(dǎo)體整體的市場(chǎng)增長(zhǎng)。 隨著AI應(yīng)用服務(wù)器對(duì)功率半導(dǎo)體有著不同的技術(shù)需求, 對(duì)其特性的要求也不盡相同，能耗、能源效率成為關(guān)注重點(diǎn)，而氮化鎵功率半導(dǎo)體已經(jīng)被視為提高數(shù)據(jù)中心能源效率的關(guān)鍵技術(shù)之一。針對(duì)氮化鎵未來(lái)發(fā)展，潘大偉認(rèn)為，氮化鎵已經(jīng)到了一個(gè)新的拐點(diǎn)，不僅可以應(yīng)用于充電器快充市場(chǎng)，還可以用于儲(chǔ)能、充電站等領(lǐng)域。 另?yè)?jù)TrendForce集邦咨詢表示，全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長(zhǎng)到2026年的13.3億美金，復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)65%。 而在碳化硅方面，TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業(yè)者合作項(xiàng)目明朗化，將推動(dòng)2023年整體SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)22.8億美元，年成長(zhǎng)41.4%。并預(yù)期，至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模可望達(dá)53.3億美元，其主流應(yīng)用仍倚重電動(dòng)汽車及可再生能源。 |
