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NTD5867NLT4G-VB一款TO252封裝N溝道MOS管應(yīng)用領(lǐng)域講解

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發(fā)表于 2023-11-17 14:03:46 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
關(guān)鍵詞: NTD5867NLT4G , MOS管 , MOS , mosfet , vbsemi
NTD5867NLT4G (VBE1638)參數(shù)說明:N溝道,60V,45A,導(dǎo)通電阻24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,門源電壓范圍20V(±V),閾值電壓1.8V,封裝:TO252。
應(yīng)用簡介:NTD5867NLT4G適用于高功率N溝道MOSFET,常見于電源開關(guān)、電機(jī)控制和逆變器等領(lǐng)域模塊。
其高電流承載能力使其在大電流需求場景中表現(xiàn)出色。
適用領(lǐng)域與模塊:適用于高功率應(yīng)用,如電源開關(guān)、電機(jī)控制和逆變器等模塊。
高電流承載能力滿足大電流需求。


VBE1638.png (68.79 KB)

VBE1638.png

NTD5867NLT4G.pdf

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