|
來源：全球半導體觀察整理 當地時間11月2日，美國半導體公司德州儀器（TI）宣布，其位于猶他州Lehi的第二座300毫米半導體晶圓廠破土動工。竣工后，TI位于猶他州的兩座工廠每天將滿負荷生產數千萬個模擬和嵌入式處理芯片。 TI總裁兼首席執行官Haviv Ilan稱，這座新工廠是該公司長期300毫米制造路線圖的一部分，旨在建設客戶未來幾十年所需的產能。 今年2月，德州儀器宣布在猶他州投資110億美元，這是該州歷史上最大的經濟投資。LFAB2將為TI創造約800個額外工作崗位以及數千個間接工作崗位，首批生產最早將于2026年投入使用。 德州儀器新建的LFAB2將補充其現有的300毫米晶圓廠，其中包括LFAB1（猶他州李海）、DMOS6（達拉斯）以及RFAB1和RFAB2（均位于德克薩斯州理查森）。 其中，德州儀器還在德克薩斯州謝爾曼建設四座新的300毫米晶圓廠（SM1、SM2、SM3和SM4），第一座晶圓廠最早將于2025年投產。 |
