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NTGD3148NT1G-VB一款SOT23-6封裝 MOSFET參數應用解析

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發表于 2023-10-12 14:13:17 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
關鍵詞: MOS管 , MOS , mosfet , vbsemi , NTGD3148NT1G
VBsemi推出了NTGD3148NT1G型號的MOS管,其絲印型號為VB3222。該產品為雙N溝道晶體管,具備出色的性能參數。最大工作電壓為20V,最大工作電流為4.8A。導通狀態下的導通電阻(RDS(ON))分別為22mΩ @ 4.5V和28mΩ @ 2.5V。此外,該產品支持12Vgs(±V)的驅動電壓范圍,其閾值電壓范圍為1.2~2.2V。

NTGD3148NT1G MOS管采用緊湊的SOT23-6封裝,為各種電路設計提供了高度的靈活性和集成性。在多個領域都具有廣泛的應用。在電源管理開關電源和功率放大等領域,NTGD3148NT1G MOS管可以發揮其優越的電性能,實現高效能源轉換。在電池管理系統中,該產品可用于電池充放電管理、保護及控制。此外,在電子設備中,它還可以用于信號放大和開關控制等功能,提供可靠的性能和穩定性。

總之,NTGD3148NT1G MOS管是VBsemi為滿足不同領域需求而推出的高品質產品。其在電源管理、電池管理、信號放大和開關控制等領域的應用,為各種模塊的設計提供了高效可靠的解決方案。

VB3222.png (96.89 KB)

VB3222.png

NTGD3148NT1G MOSFET Datasheet.pdf

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